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FAQ's
  • SiC功率元器件的特征有哪些？
    • SiC与Si相比，绝缘击穿电场强度高约10倍，可达几千V的高耐压，另外单位面积的导通电阻非常低，可降低功率损耗。
      Si在高耐压化时导通电阻变大，为了改善这一现象，主要使用IGBT，但这有开关损耗大的问题。
      SiC具有优异的高速开关性能。
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