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FAQ's
  • SiC-MOSFET串联时，应注意哪些？
    • ・上侧元器件接地绝缘只能保证绝缘耐压。
      ・需要串联数栅极电压用浮动电源。
      ・串联时，导通电阻的温度系数变为正，为防止热失控，请考虑产品偏差和充分的电流降额。
      ・串联后作为高耐压单开关使用时，推荐并列插入大电阻进行适当分压。
      ・若不符合开关时序，则将破坏耐压。
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