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SiC-MOSFET、SiC模块产品的栅极驱动电压脱离推荐值（导通时＋２２Ｖ～＋１８Ｖ、关断时－３V～－６V）时，会发生什么情况？
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SiC-MOSFET、SiC模块产品的栅极驱动电压脱离推荐值（导通时＋２２Ｖ～＋１８Ｖ、关断时－３V～－６V）时，会发生什么情况？
导通时栅极驱动电压低于15Ｖ，则不能充分导通，低于14Ｖ以下，则导通电阻的温度特性从正变为负。
温度变高，则导通电阻下降，有热失控的危险性，因此请确保施加15Ｖ以上电压。
TZDB为40V以上，因此没有栅极损坏的顾虑，但持续施加超过额定值(-6V/+22V)的DC电压时，将受到栅极氧化膜界面的陷阱影响，阈值逐渐变化。
瞬时浪涌电压(300nsec以内)受阈值电压变动的影响小，允许有-10V～+26V范围的变动。
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