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SiC-MOSFET、SiC模块产品的栅极驱动电压需要负 偏压吗?
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SiC-MOSFET、SiC模块产品的栅极驱动电压需要负 偏压吗?
FET OFF状态下漏极电位上升时,基于栅-漏间电容的AC耦合现象,栅极电位可能上升。代表性的应用有串联的电桥驱动。
为防止基于误导通的短路破坏,推荐使用负偏压。
增加栅极-漏极间的电容也能抑制栅极电位上升。
另外,通过栅极-漏极间连接米勒钳位MOSFET实现彻底短路,可防止栅极电位上升。请注意因噪音引起米勒钳位MOSFET误工作。
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