GNP2070TD-Z
EcoGaN™, 650V 27A TOLL-8N, 增强型氮化镓 (GaN) HEMT
GNP2070TD-Z
GNP2070TD-Z
EcoGaN™, 650V 27A TOLL-8N, 增强型氮化镓 (GaN) HEMT
GNP2070TD-Z是一款650V GaN HEMT，实现了业界更高级的FOM (Ron*Ciss、Ron*Coss)。它是EcoGaN™系列产品，通过更佳地利用低导通电阻和高速开关特性，有助于提高功率转换效率和缩小尺寸。内置ESD保护功能，实现高可靠性设计。此外，高度通用的封装提供了优良的散热性能，并易于安装。 正在寻找激发GaN HEMT性能的栅极驱动器？→ GaN用栅极驱动器
主要规格
特性：
VDS [V]
650
IDS [A]
26.6
VGS Rating [V]
6.5
RDS(on) [mΩ]
70
Qg [nC]
4.7
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Dimensions [mm]
11.68x9.9 (t=2.4)
特点：
- 650V 增强型GaN HEMT
- 70mΩ 电阻
- 5.2nC 栅极电荷
