GaN功率器件
GaN(氮化镓)是一种化合物半导体材料,作为下一代功率器件用的材料被寄予厚望。与以往的Si器件相比,其开关性能和高频性能更加出色,因而在市场上的应用日益广泛。
不仅如此,其导通电阻也低于Si器件,有望助力众多应用实现更低功耗和小型化。
ROHM将有助于应用产品的节能和小型化的GaN器件命名为“EcoGaN™系列”,并始终致力于进一步提高器件的性能。另外,ROHM不仅致力于元器件的开发,还与业内相关企业积极建立战略合作伙伴关系并推动联合开发,通过助力应用产品的效率提升和小型化,持续为解决社会问题贡献力量。
* EcoGaN™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。
GaN器件和驱动IC助推工业设备创新【Satoru Oyama×ROHM Conversational Video】
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