RGW00TS65CHR
超高速开关型, 650V 50A, TO-247N, 内置SiC-SBD的Hybrid IGBT
RGW00TS65CHR
超高速开关型, 650V 50A, TO-247N, 内置SiC-SBD的Hybrid IGBT
RGWxx65C系列是650V耐压IGBT，采用SiC肖特基势垒二极管作为续流二极管，实现了更低损耗。本产品还符合汽车电子产品可靠性标准“AEC-Q101”，即使在xEV车载充电器、DC-DC转换器、太阳能发电用的功率调节器、不间断电源装置（UPS）等严苛环境下也可放心使用。
主要规格
特性：
Series
W: High speed fast SW
VCES [V]
650
IC(100°C)[A]
50
VCE(sat) (Typ.) [V]
1.5
tf(Typ.) [ns]
40
Built-in Diode
SiC-SBD
Pd [W]
254
BVCES (Min.)[V]
650
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
16x21 (t=5.2)
Common Standard
AEC-Q101 (Automotive Grade)
特点：
- AEC-Q101 Qualified
- Low Collector - Emitter Saturation Voltage
- Low Switching Loss & Soft Switching
- Built in No Recovery Silicon Carbide SBD
- Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant
产品概要
背景
近年来，在全球“创建无碳社会”和“碳中和”等减少环境负荷的努力中，电动汽车（xEV）得以日益普及。为了进一步提高系统的效率，对各种车载设备的逆变器和转换器电路中使用的功率半导体也提出了多样化需求，超低损耗的SiC功率元器件（SiC MOSFET、SiC SBD等）和传统的硅功率元器件（IGBT、SJ-MOSFET等）都在经历技术变革。
ROHM致力于为广泛的应用提供有效的电源解决方案，不仅专注于行业先进的SiC功率元器件，还积极推动Si功率元器件和驱动IC的技术及产品开发。此次，开发了能够为普及中的车载、工业设备提供更高性价比的Hybrid IGBT。
概要
“RGWxx65C系列”是Hybrid型IGBT，在IGBT的反馈单元（续流二极管）中采用了ROHM的低损耗SiC肖特基势垒二极管（SiC SBD），成功大幅降低以往IGBT产品导通时的开关损耗。在车载充电器中采用本产品时，与以往IGBT产品相比，损耗可降低67％，与超级结MOSFET （SJ-MOSFET）相比，损耗可降低24％，有助于以更高的性价比进一步降低车载和工业设备应用的功耗。
特点
1. 损耗比以往IGBT产品低67％，为普及中的车载电子设备和工业设备提供更高性价比
“RGWxx65C系列”是Hybrid型IGBT，在IGBT的反馈单元（续流二极管）中采用了ROHM的低损耗SiC SBD。与以往使用Si快速恢复二极管（Si-FRD）的IGBT产品相比，成功地大幅降低了开通损耗，在车载充电器应用中损耗比以往IGBT产品低67％。与通常损耗小于IGBT的SJ-MOSFET相比，损耗也可降低24％。在转换效率方面，新产品可以在更宽的工作频率范围确保97％以上的高效率，并且在100kHz的工作频率下，效率可比IGBT高3％，有助于以更高的性价比进一步降低车载和工业设备应用的功耗。
2. 符合AEC-Q101标准，可在恶劣环境下使用
RGWxx65C系列还符合汽车电子产品可靠性标准“AEC-Q101”，即使在车载和工业设备等严苛环境下也可以安心使用。
应用示例
- ・车载充电器
- ・车载DC/DC转换器
- ・太阳能逆变器（功率调节器）
- ・不间断电源装置（UPS）
