RCJ081N20
N沟道 200V 8A 功率MOSFET
新设计非推荐
RCJ081N20
N沟道 200V 8A 功率MOSFET
为支持现有客户而生产的产品。不对新设计出售此产品。
主要规格
特性：
Package Code
TO-263 (D2PAK)
JEITA Package
SC-83
Number of terminal
3
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
200
Drain Current ID[A]
8
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.55
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.55
Total gate charge Qg[nC]
8.5
Power Dissipation (PD)[W]
40
Drive Voltage[V]
10
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
13.1x10.1 (t=4.7)
特点：
・低导通电阻。・更快的开关速度。
・驱动电路简单。
・易于并联使用。
・无铅镀层；符合RoHS标准
・雪崩测试
