R6007RND3 (新产品)
600V 7A TO-252, PrestoMOS™ with integrated high-speed diode
R6007RND3 (新产品)
600V 7A TO-252, PrestoMOS™ with integrated high-speed diode
R6007RND3 is fast trr power MOSFET, suitable for switching applications.
主要规格
特性:
Package Code
TO-252 (DPAK)
JEITA Package
SC-63
Applications
Power Supply
Number of terminal
3
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
600
Drain Current ID[A]
7
RDS(on)[Ω] VGS=15V(Typ.)
0.73
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.73
Total gate charge Qg[nC]
17.5
Power Dissipation (PD)[W]
96
Drive Voltage[V]
15
Trr (Typ.)[ns]
50
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Package Size [mm]
6.6x10.0 (t=2.4)
特点:
- Fast reverse recovery time(trr)
- Low on-resistance
- Fast switching speed
- Drive circuits can be simple
- Pb-free plating ; RoHS compliant
产品概要
背景
近年来,全球电力供应日趋紧张,这就要求设备要更加节能。据了解,电机所需的电力占全球电力总需求的50%左右。因此,在电机驱动中担负功率转换工作的逆变电路,越来越多地开始采用高效率MOSFET。另一方面,针对使用MOSFET时所产生的噪声,主要通过添加部件和改变电路图案等措施来处理,而这些措施需要花费相应的工时和成本,如何减少工时和成本已成为必须要攻克的课题。然而,通常情况下,由于降低功率损耗和降低噪声之间存在此消彼长的权衡关系,因此如何同时满足这两个参数的要求,也是必须要解决的课题。
概要
“R60xxRNx系列”不仅继承了PrestoMOS™的特点——超快反向恢复时间(trr)特性,同时还进一步降低了噪声。通过改进自有的Lifetime控制技术实现了40ns业内超快反向恢复时间,与普通产品相比,其开关损耗降低约30%,有助于进一步降低设备的功率损耗。另外,通过采用新开发的自有Super Junction结构,与普通产品相比,与反向恢复时间之间存在权衡关系的噪声也降低了约15dB(在ROHM测试条件下,比较40MHz时的表现)。实现了业内优异的特性,有助于减少设备的抗噪声设计工时和部件数量。


应用示例
◇冰箱
◇换气扇
◇风扇电机
还适用于配备小型电机的各种设备。