R6007RND3 (新产品)
600V 7A TO-252, PrestoMOS™ with integrated high-speed diode
R6007RND3 (新产品)
600V 7A TO-252, PrestoMOS™ with integrated high-speed diode
R6007RND3 is fast trr power MOSFET, suitable for switching applications.
主要规格
特性：
Package Code
TO-252 (DPAK)
JEITA Package
SC-63
Applications
Power Supply
Number of terminal
3
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
600
Drain Current ID[A]
7
RDS(on)[Ω] VGS=15V(Typ.)
0.73
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.73
Total gate charge Qg[nC]
17.5
Power Dissipation (PD)[W]
96
Drive Voltage[V]
15
Trr (Typ.)[ns]
50
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Package Size [mm]
6.6x10.0 (t=2.4)
特点：
- Fast reverse recovery time(trr)
- Low on-resistance
- Fast switching speed
- Drive circuits can be simple
- Pb-free plating ; RoHS compliant
产品概要
背景
近年来，全球电力供应日趋紧张，这就要求设备要更加节能。据了解，电机所需的电力占全球电力总需求的50%左右。因此，在电机驱动中担负功率转换工作的逆变电路，越来越多地开始采用高效率MOSFET。另一方面，针对使用MOSFET时所产生的噪声，主要通过添加部件和改变电路图案等措施来处理，而这些措施需要花费相应的工时和成本，如何减少工时和成本已成为必须要攻克的课题。然而，通常情况下，由于降低功率损耗和降低噪声之间存在此消彼长的权衡关系，因此如何同时满足这两个参数的要求，也是必须要解决的课题。
概要
“R60xxRNx系列”不仅继承了PrestoMOS™的特点——超快反向恢复时间（trr）特性，同时还进一步降低了噪声。通过改进自有的Lifetime控制技术实现了40ns业内超快反向恢复时间，与普通产品相比，其开关损耗降低约30%，有助于进一步降低设备的功率损耗。另外，通过采用新开发的自有Super Junction结构，与普通产品相比，与反向恢复时间之间存在权衡关系的噪声也降低了约15dB（在ROHM测试条件下，比较40MHz时的表现）。实现了业内优异的特性，有助于减少设备的抗噪声设计工时和部件数量。
应用示例
◇冰箱
◇换气扇
◇风扇电机
还适用于配备小型电机的各种设备。
