SiC(碳化硅)MOSFET

SiC MOSFET原理上在开关过程中不会产生拖尾尾电流,可高速运行且开关损耗低。低导通电阻和小型芯片尺寸造就较低的电容和栅极电荷。此外,SiC还具有如导通电阻增加量很小的优异的材料属性,并且有比导通电阻可能随着温度的升高而上升2倍以上的硅(Si)器件更优异的封装微型化和节能的优点。

ROHM发布了第三代沟槽栅型SiC MOSFETSCT3系列。这些MOSFET提供6种版本(650V/1200V),其特点是导通电阻比第2代平面型产品小50%,这使其非常适合需要高效率的大型服务器电源、UPS系统、太阳能转换器以及电动汽车充电站。

SCT3系列以能够更大限度提高开关性能的4引脚封装(TO-247-4L)形式提供。与传统3引脚封装类型相比开关损耗最大可以减少35%,有助于在各种应用中降低功耗。此外,与传统3引脚封装SiC MOSFET中的栅极电压因电源终端的电感元件而下降导致开关速度延迟不同的是,这种新型4引脚封装包含的栅极驱动器电源终端与传统电源终端分离,可更大限度减少栅极电压的下降,从而能够大幅度提高开关性能。
SiC (碳化硅) MOSFET
FAQ

【新产品】 “SCT3xxx xR”系列

开发出6款沟槽栅结构SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”产品(650V/1200V耐压),非常适用于要求高效率的服务器用电源、太阳能逆变器及电动汽车的充电站等。
此次新开发的系列产品采用4引脚封装(TO-247-4L),可充分地发挥出SiC MOSFET本身的高速开关性能。与以往3引脚封装(TO-247N)相比,开关损耗可降低约35%,非常有助于进一步降低各种设备的功耗。
另外,罗姆也已开始供应SiC MOSFET评估板“P02SCT3040KR-EVK-001”,该评估板中配置有非常适用于SiC元器件的驱动的ROHM栅极驱动器IC(BM6101FV-C)、各种电源IC及分立产品,可为客户提供轻松进行元器件评估的解决方案。

 

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特点 : 采用4引脚封装(TO-247-4L),开关损耗降低约35%

在传统的3引脚封装(TO-247N)中,源极引脚的电感分量会引起栅极电压下降,并导致开关速度延迟。
此次,SCT3xxx xR系列所采用的4引脚封装(TO-247-4L),可以分离电源源极引脚和驱动器源极引脚,因此,可减少电感分量的影响。这样,能够充分地发挥出SiC MOSFET的高速开关性能,尤其是可以显著改善导通损耗。与以往产品相比,导通损耗和关断损耗合起来预计可降低约35%的损耗。

“SCT3xxx xR”系列 产品阵容
品名 漏极-源极间
电压
VDS[V]
漏极-源极间
导通电阻
RDS(on)@25℃
[mΩ(typ.)]
漏极电流
ID@25℃
[A]
漏极损耗
PD [W]
工作温度范围
[℃]
封装

SCT3030AR
650 30 70 262 -55~+175 TO-247-4L

SCT3060AR
60 39 165

SCT3080AR
80 30 134

SCT3040KR
1200 40 55 262

SCT3080KR
80 31 165

SCT3105KR
105 24 134

罗姆SiC MOSFET

实现高速、低导通电阻

同时实现Si元器件做不到的高速开关和低导通电阻,即使在高温条件下,也能显示优异的电气特性。为大幅降低开关损耗和周边元器件的小型化作出贡献。

向新一代元器件进化,第3代SiC MOSFET元器件

开发出采用沟槽结构的SiC MOSFET,并成功实现量产。元器件实现了更低的导通电阻,降低了设备的功率损耗。