SiCMOSFET

开关时的差动放大电流原则上是没有的,所以可以高速运作,开关损失降低。 小尺寸芯片的导通电阻低,所以实现低容量・低门极消耗。 Si产品随温度的上升导通电阻上升2倍以上,SiC的导通电阻上升小,可以实现整机的小型化和节能化。
SiCMOSFET
FAQ

【新产品】 “SCT3xxx xR”系列

开发出6款沟槽栅结构SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”产品(650V/1200V耐压),非常适用于要求高效率的服务器用电源、太阳能逆变器及电动汽车的充电站等。
此次新开发的系列产品采用4引脚封装(TO-247-4L),可充分地发挥出SiC MOSFET本身的高速开关性能。与以往3引脚封装(TO-247N)相比,开关损耗可降低约35%,非常有助于进一步降低各种设备的功耗。
另外,罗姆也已开始供应SiC MOSFET评估板“P02SCT3040KR-EVK-001”,该评估板中配置有非常适用于SiC元器件的驱动的ROHM栅极驱动器IC(BM6101FV-C)、各种电源IC及分立产品,可为客户提供轻松进行元器件评估的解决方案。

 

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特点 : 采用4引脚封装(TO-247-4L),开关损耗降低约35%

在传统的3引脚封装(TO-247N)中,源极引脚的电感分量会引起栅极电压下降,并导致开关速度延迟。
此次,SCT3xxx xR系列所采用的4引脚封装(TO-247-4L),可以分离电源源极引脚和驱动器源极引脚,因此,可减少电感分量的影响。这样,能够充分地发挥出SiC MOSFET的高速开关性能,尤其是可以显著改善导通损耗。与以往产品相比,导通损耗和关断损耗合起来预计可降低约35%的损耗。

“SCT3xxx xR”系列 产品阵容
品名 漏极-源极间
电压
VDS[V]
漏极-源极间
导通电阻
RDS(on)@25℃
[mΩ(typ.)]
漏极电流
ID@25℃
[A]
漏极损耗
PD [W]
工作温度范围
[℃]
封装

SCT3030AR
650 30 70 262 -55~+175 TO-247-4L

SCT3060AR
60 39 165

SCT3080AR
80 30 134

SCT3040KR
1200 40 55 262

SCT3080KR
80 31 165

SCT3105KR
105 24 134

罗姆SiC MOSFET

实现高速、低导通电阻

同时实现Si元器件做不到的高速开关和低导通电阻,即使在高温条件下,也能显示优异的电气特性。为大幅降低开关损耗和周边元器件的小型化作出贡献。

向新一代元器件进化,第3代SiC MOSFET元器件

开发出采用沟槽结构的SiC MOSFET,并成功实现量产。元器件实现了更低的导通电阻,降低了设备的功率损耗。