SCT4018KWA
1200V、75A、7引脚SMD、沟槽结构SiC (碳化硅) MOSFET
SCT4018KWA
1200V、75A、7引脚SMD、沟槽结构SiC (碳化硅) MOSFET
SCT4018KWA是一款SiC（碳化硅）沟槽MOSFET。具有耐高压、低导通电阻和高速开关等特点。
ROHM第四代SiC MOSFET的优势
与传统产品相比，本系列产品的导通电阻减少了约40%，开关损耗减少了约50%。15V的栅极-源极电压使应用设计更简便。
主要规格
特性：
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
18
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
75
Total Power Dissipation[W]
267
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
15.4x10.2 (t=4.7)
特点：
- 低导通电阻
- 高速开关
- 快速反向恢复
- 易于并联
- 驱动简单
- 无铅引线镀层；符合RoHS指令要求
- 更宽的爬电距离 = 更低4.7mm
