SiC(碳化硅)功率模块_BSM180C12P2E202

BSM180C12P2E202由罗姆公司生产的SiC-DMOSFET和SiC-SBD构成,是2in1的SiC功率模块。

* 本产品是标准级的产品。本产品不建议使用于车载设备。
型号 | BSM180C12P2E202
Status | 推荐品
封装 | E
包装数量 | 4
最小独立包装数量 | 4
包装形态 | Corrugated Cardboard
RoHS | Yes

特性:

Drain-source Voltage[V]

1200

Drain Current[A]

204.0

Total Power Dissipation[W]

1360

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-40

Storage Temperature (Max.)[°C]

125

Package

Chopper

特点:

  • Low surge, low switching loss.
  • High-speed switching possible.
  • Reduced temperature dependance.