RQ1C065UN
1.5V Drive Nch MOSFET
RQ1C065UN
RQ1C065UN
1.5V Drive Nch MOSFET
电界効果晶体管的MOSFET。提供通过采用细微流程的「针对通信产品的超低阻值的设备」而产生的节能的功率MOSFET，并且结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。
主要规格
特性：
Package Code
TSMT8
Number of terminal
8
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
20
Drain Current ID[A]
6.5
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ.)
0.029
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)
0.019
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
0.016
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.029
Total gate charge Qg[nC]
11
Power Dissipation (PD)[W]
1.5
Drive Voltage[V]
1.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Package Size [mm]
3x2.8 (t=0.85)
