Rohm Breadcrumb

Rohm Productdetail

4V Drive Nch MOSFET_RQ1E075XN

电界効果晶体管的MOSFET。提供通过采用细微流程的「针对通信产品的超低阻值的设备」而产生的节能的功率MOSFET,并且结合用途,以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。

* 本产品是标准级的产品。本产品不建议使用的车载设备。
型号 | RQ1E075XNTCR
Status | 供应中
封装 | TSMT8
包装数量 | 3000
最小独立包装数量 | 3000
包装形态 | Taping
RoHS | Yes

特性:

Grade

Standard

Package Code

TSMT8

Package Size[mm]

3.0x2.8(t=0.8)

Applications

Switching

Number of terminal

8

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

30

Drain Current ID[A]

7.5

RDS(on)[Ω] VGS=4V (Typ.)

0.019

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.)

0.017

RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.)

0.012

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.019

Total gate charge Qg[nC]

6.8

Power Dissipation (PD)[W]

1.5

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

特点:

・4V驱动型 Nch 中功率MOSFET