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4.5V驱动型 Nch MOSFET_RQ3E100GN

场效应晶体管MOSFET。通过采用微细工艺的“超低导通电阻元件”,为用户提供应用广泛的功率MOSFET。根据用途备有小型、大功率、复合化的丰富产品阵容,可满足多样的市场需求。

* 本产品是标准级的产品。本产品不建议使用的车载设备。
型号 | RQ3E100GNTB
Status | 供应中
封装 | HSMT8
包装数量 | 3000
最小独立包装数量 | 3000
包装形态 | Taping
RoHS | Yes

特性:

Grade

Standard

Package Code

HSMT8(3.3x3.3)

Package Size[mm]

3.3x3.3(t=0.8)

Applications

Power Supply

Number of terminal

8

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

30

Drain Current ID[A]

21.0

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.)

0.012

RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.)

0.0089

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.012

Total gate charge Qg[nC]

3.9

Power Dissipation (PD)[W]

15.0

Drive Voltage[V]

4.5

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

特点:

・ Low on - resistance.
・ High Power Package (HSMT8).
・ Pb-free lead plating ; RoHS compliant
・ Halogen Free