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4V Drive Nch MOSFET_RSJ650N10

电界効果晶体管的MOSFET。提供通过采用细微流程的「针对通信产品的超低阻值的设备」而产生的节能的功率MOSFET,并且结合用途,以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。

* 本产品是标准级的产品。本产品不建议使用的车载设备。
型号 | RSJ650N10TL
Status | 供应中
封装 | LPTS(D2PAK)
包装数量 | 1000
最小独立包装数量 | 1000
包装形态 | Taping
RoHS | Yes

特性:

Grade

Standard

Package Code

TO-263(D2PAK)

JEITA Package

SC-83

Package Size[mm]

10.1x13.1(t=4.5)

Number of terminal

3

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

100

Drain Current ID[A]

65.0

RDS(on)[Ω] VGS=4V (Typ.)

0.007

RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.)

0.0065

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.007

Total gate charge Qg[nC]

260.0

Power Dissipation (PD)[W]

100.0

Drive Voltage[V]

4.0

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

特点:

・4V驱动型 Nch 功率MOSFET