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4V Drive Pch MOSFET_RT1E050RP

电界効果晶体管的MOSFET。提供通过采用细微流程的「超低阻值的设备」而在广泛领域得以应用的功率MOSFET,并且结合用途,以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。

* 本产品是标准级的产品。本产品不建议使用的车载设备。
型号 | RT1E050RPTR
Status | 供应中
封装 | TSST8
包装数量 | 3000
最小独立包装数量 | 3000
包装形态 | Taping
RoHS | Yes

特性:

Grade

Standard

Package Code

TSST8

Package Size[mm]

3.0x1.9(t=0.8)

Applications

Power Supply

Number of terminal

8

Polarity

Pch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

-30

Drain Current ID[A]

-5.0

RDS(on)[Ω] VGS=4V (Typ.)

0.04

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.)

0.036

RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.)

0.026

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.04

Total gate charge Qg[nC]

13.0

Power Dissipation (PD)[W]

1.25

Drive Voltage[V]

-4.0

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

特点:

・4V驱动型 Pch 中功率MOSFET