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0.9V Drive Nch MOSFET_RYM002N05

电界効果晶体管的MOSFET。提供通过采用细微流程的「针对通信产品的超低阻值的设备」而产生的节能的功率MOSFET,并且结合用途,以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。

* 本产品是标准级的产品。本产品不建议使用的车载设备。
型号 | RYM002N05T2CL
Status | 供应中
封装 | VMT3
包装数量 | 8000
最小独立包装数量 | 8000
包装形态 | Taping
RoHS | Yes

特性:

Grade

Standard

Package Code

SOT-723

JEITA Package

SC-105AA

Package Size[mm]

1.2x1.2(t=0.5)

Number of terminal

3

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

50

Drain Current ID[A]

0.2

RDS(on)[Ω] VGS=0.9V (Typ.)

3.0

RDS(on)[Ω] VGS=1.2V (Typ.)

2.2

RDS(on)[Ω] VGS=1.5V (Typ.)

2.0

RDS(on)[Ω] VGS=2.5V (Typ.)

1.7

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.)

1.6

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

3.0

Power Dissipation (PD)[W]

0.15

Drive Voltage[V]

0.9

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

特点:

・0.9V驱动型 Nch 小信号MOSFET