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2.5V Drive Nch+SBD MOSFET_US5U1

电界效果晶体管MOSFET。通过融合采用细微流程的低阻值MOSFET与肖特基二极管(SBD)形成了多种产品线来对应多样的市场需求。

* 本产品是标准级的产品。本产品不建议使用的车载设备。
型号 | US5U1TR
Status | 供应中
封装 | TUMT5
包装数量 | 3000
最小独立包装数量 | 3000
包装形态 | Taping
RoHS | Yes

特性:

Grade

Standard

Package Code

SOT-353T

JEITA Package

SC-113CA

Package Size[mm]

2.0x2.1(t=0.85Max.)

Number of terminal

5

Polarity

Nch+Schottky

Drain-Source Voltage VDSS[V]

30

Drain Current ID[A]

1.5

RDS(on)[Ω] VGS=2.5V (Typ.)

0.24

RDS(on)[Ω] VGS=4V (Typ.)

0.18

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.)

0.17

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.24

Total gate charge Qg[nC]

1.6

Power Dissipation (PD)[W]

0.7

Drive Voltage[V]

2.5

Reverse voltage VR (Diode) [V]

20.0

Forward Current IF (Diode) [A]

0.5

Forward Current Surge Peak IFSM (Diode) [A]

2.0

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

特点:

・实现以2.0×2.1mm安装面积的高功率小空间的MOSFET