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ROHM研发中心主任晋升为IEEE高级会员!

IEEE

什么是IEEE

IEEE(Institute of Electrical and Electronics Engineer,电气与电子工程师协会)的总部位于美国,是全球最大的电气与信息工程领域学术研究组织和技术标准化机构。
IEEE在全球160多个国家拥有40多万名会员,根据领域下分为39个分委员会,进行的活动有:出版论文期刊、举办国际会议、制定标准规范、促进会员交流等。
1963年成立之初,主要活跃于电力电子、通信、半导体等领域,但近年来已扩展到机器人、自动化以及车辆技术等周边领域。

什么是高级会员

高级会员是IEEE会员中级别最高的会员,仅占所有会员的10%左右。
晋升的条件是“IEEE相关领域的工程师、科学家、教师和技术管理人员,从业经验至少10年,并在其中5年以上有杰出表现(取得重大成就)”。除此之外,还需要由三名具有会士或高级会员或正式会员资格的会员提名推荐。
能够晋升为高级会员,是IEEE对中原先生在电力电子和仿真技术方面的研究成果的认可,换言之,也是ROHM研发活动高水平的证明。

会员主要分类和级别

(根据IEEEJapan Council HP的内容制作)

推荐信中提到的研发成果

1.电力电子技术:2015年~至今

相关论文

[1] J. Kashiwagi, A. Yamaguchi, Y. Moriyama, and K. Nakahara, “Hysteretic Control Embedded Boost Converter Operating at 25-MHz Switching”, IEEE Trans. Circuits and Systems II: Exp. Briefs, Vol.66, pp. 101 (2019).

[2] Y. Nakakohara, H., T. M. Evans, T. Yoshida, M. Tsuruya, and K. Nakahara, "Three-Phase LLC Series Resonant DC/DC Converter Using SiC MOSFETs to Realize High-Voltage and High-Frequency Operation", IEEE Trans. Indust. Elec. Vol.63, pp.2103 (2016)

[3] Miyazaki, H. Otake, Y. Nakakohara, M. Tsuruya, and K. Nakahara, “A Fanless Operating Trans-Linked Interleaved 5 kW Inverter Using SiC MOSFETs to Achieve 99% Power Conversion Efficiency”, IEEE Trans. Indust. Elec. Vol.65, p.9429 (2018).

2.电力电子领域的仿真技术:2013年~至今

相关论文

[1] H. Sakairi, T.Yanagi, H. Otake, N. Kuroda, H. Tanigawa, and K. Nakahara, “Measurement Methodology for Accurate Modeling of SiC MOSFET Switching Behavior Over Wide Voltage and Current Ranges”, IEEE Trans. Power Elec. Vol.33, pp.7314 (2018).

[2] Y. Nakamura, T. M. Evans, N. Kuroda, H. Sakairi, Y. Nakakohara, H. Otake, and K. Nakahara, “Electrothermal Cosimulation for Predicting the Power Loss and Temperature of SiC MOSFET Dies Assembled in a Power Module”, IEEE Trans. Power Elec. Vol.35, pp.2950 (2020).

[3] J. Kashiwagi, H. Sakairi, H. Otake, Y. Nakakohara, and K. Nakahara, “Magnetic Near-Field Strength Prediction of a Power Module by Measurement-Independent Modeling of Its Structure”, IEEE Access, Vol.8, pp.101915 (2020).

研发中心主任简介

中原 健
1995年加入ROHM公司。从事砷化镓(GaAs)类激光二极管的开发和氧化锌(ZnO)类LED、氮化镓(GaN)功率元器件、碳化硅(SiC)功率元器件的研究。
从2019年起就任研发中心主任,除新材料元器件外,还主持功率模块、系统及仿真技术等多项研究。

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