SiC（碳化硅）功率器件_分立式元器件_罗姆半导体集团(ROHM Semiconductor)

SiC（碳化硅）功率器件

与传统的硅器件相比，碳化硅（SiC）器件由于拥有低导通电阻特性以及出色的高温、高频和高压性能，已经成为下一代低损耗半导体可行的候选器件。此外，SiC让设计人员能够减少元件的使用，从而进一步降低了设计的复杂程度。

SiC元器件的低导通电阻特性有助于显著降低设备的能耗，从而有助于设计出能够减少CO₂排放量的环保型产品和系统。

罗姆在SiC功率元器件和模块的开发领域处于先进地位，这些器件和模块在许多行业的应用中都实现了更佳的节能效果。

新推出的第4代SiC MOSFET，在改善短路耐受时间的前提下实现了业内超低导通电阻。另外，还具有低开关损耗和支持15V栅-源电压等特点，有助于设备进一步节能。

本页面包括采用ROHM元器件的应用案例以及与客户的合作项目。

通过使用罗姆的第4代SiC MOSFET，与传统产品相比，导通电阻可降低约40%，开关损耗可降低约50%。有助于提高电动汽车、数据中心、基站和智能电网等高电压和大容量发展的应用的便利性和电力转换效率。本应用笔记介绍了产生以上优点的机制。

ROHM致力于开发非常适合驱动SiC元器件的栅极驱动器IC，与SiC元器件结合使用时，可以更大程度地发挥出其特性。此外，罗姆还在开发内置SiC产品的IC，例如内置SiC MOSFET的AC/DC转换器控制IC。

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