SiC相关的国际会议“ICSCRM2019”时隔24年在日本京都举办
12/10/2019
2019年国际碳化硅及相关材料国际会议“ICSCRM（International Conference on Silicon Carbide and Related Materials）2019”于9/29（星期日）～10/4（星期五）在日本京都国际会议中心举行。
ICSCRM是来自世界各地的研究人员发布与SiC和其他宽带隙（WBG）半导体相关各领域的最新研究成果的展示平台。该会议以SiC功率元器件领先专家京都大学名誉教授松波先生为核心，于1987年在华盛顿特区启动。之后，在日本、美国和欧洲等地每两年举办一届。本届是时隔24年之后在京都举办。共有1,200多名SiC相关的研究专家、经验丰富的工程师和来自世界各地的学生与会。
ICSCRM 2019会场剪影
在本次国际会议中，ROHM作为Diamond Sponsors提供了赞助，并发表了“将SiC MOSFET开关能力最大化的驱动电路技术”。
通常，包括SiC在内的功率半导体都有传导损耗和开关损耗，减少开关损耗是降低功耗重中之重的课题。以往的驱动电路无法完全发挥SiC MOSFET的高速开关能力，本次会议ROHM在主题演讲中发表的新驱动电路，通过添加电容器可以实现更高速的开关，可将整个驱动电路的开关损耗降低25％以上。该技术还有望用于太阳能发电系统的功率调节器等应用中。
在海报展示环节，罗姆展出了“用于分析SiC元器件特性的新型建模方法”。
尽管SiC已经处于普及期，但最大限度地发挥其高效、高频驱动等元器件特性的电路设计仍然是亟待解决的课题。使用仿真的电路设计对于解决该课题具有积极作用。本次发布的SiC MOSFET元器件新型建模方法，就电路设计不可或缺的开关特性而言，由于可以获得与实际测量非常接近的结果，故可以实现高精度的电路仿真。
此外，10月1日（星期二），ROHM面向ICSCRM 2019的与会各方人士举办了演讲会和欢迎晚会等交流活动。
在演讲会中，研发中心主任中原先生致欢迎辞，功率元器件生产本部的部长伊野先生介绍了ROHM SiC功率元器件的最新情况。京都大学的松波名誉教授在特别演讲中回顾了包括从基础研究时代到最近在各种应用中的采用实例在内的SiC历史，并提出了对未来的展望。随后，与会人员移步宴会厅，董事兼LSI开发本部长立石先生和京都大学木本教授先后致辞，晚宴开始。席间与会者之间的交流十分充分，气氛非常活跃，圆满实现了交流活动的目的。
ROHM主办的交流活动
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