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FAQ Category
Notation of Datasheet's condition
Product type / feature / difference
Product Replacement
Pull up, Pull down
Operating power supply voltage (range / variation)
Power supply (VDD / VCC / VIN) rise time, operation time
Input (rise / fall) time
Output (rise / fall / transmission) time
Output circuit configuration
Number of rewrites / data retention characteristics
Write (Start / Execute / Time / BUSY state)
Write (page / all addresses)
Write (enable / disable / protect)
Reading data
Memory area: Capacity and bit
Status register
Command and opcode
Power-on reset (POR)
clock
Timing chart
Multiple connection or cascade connection
Initial value
Parasitic capacitance of the terminal
Reduced voltage detection (UVLO / LVCC)
Operating frequency
Reset All
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关于EEPROM,
请告知在Datasheet中的标准值中,仅有Min/Max而没有Typ记载的项目实际测量值。
确认各特性的实际测量值时,请参考Datasheet中记载的特性图。
FAQ ID: 1820
何谓随机失效?
随机失效就是在用户使用过程中,存储单元偶然出现失效而使数据产生意外改变。
EEPROM的存储单元,改写次数是有限制的(ROHM的产品最多可改写100万次)。
在此限制次数内,保证不会出现随机失效,这样的保证是哪个公司都没有的(出厂时确认所有bit都没有问题)。
为了降低随机失效率,ROHM采用 W-CELL(双单元) 结构,实现了数据的高可靠性。
FAQ ID: 7
关于SPI的EEPROM,
请告知BR25H-2C相对于BR25H-WC系列的不同点、改善点和替换方法。
相对于BR25H-WC系列而言,BR25H-2C系列对数据保存特性以及工作速度等方面进行了改善,虽然可以通过高端兼容、相同功能进行替换,但还是请根据实际用途做好充分确认。请参考比较资料。
相关链接:
技术资料
FAQ ID: 1800
关于SPI的EEPROM,
请告知BR25H-2C相对于BR35H-WC系列的不同点、改善点和替换方法。
从BR35H-WC系列到BR25H-2C系列追加的功能有以下3点。
追加功能端子
将NC端子变更成保持(HOLDB)端子、写保护(WPB)端子
在状态寄存器中追加WPEN、BP1、BP0(3bit)
WPEN (写保护使能): WPB端子的有效/无效设定(仅8Kbit以上的产品)
BP1、BP0 (块保护):写入禁止范围设定
追加写入状态寄存器指令
追加到状态寄存器的3bit使用EEPROM单元,可以通过指令写入。如果未使用HOLDB、WPB端子,请对VCC进行上拉处理(无需电阻)。在特性方面,改善了数据保存特性、改写次数、写入时间,并具有高端兼容性,可直接替换。请参考比较资料。
相关链接:
技术资料
FAQ ID: 1781
关于EEPROM,
请告知如何在接通电源时禁止误写入。
请遵守Datasheet中所记载的电源启动时间及电压的规定。
在VCC完全上升之前,请将输入端子保持以下状态。
Microwire: 将CS端子下拉成GND (对象产品: BR93G-3/BR93G-3A/BR93G-3B/BR93H-2C/BR93A-WM系列)
SPI: 将CSB端子上拉成VCC (对象产品: BR25G-3/BR25H-2C/BR25H-2AC/BR25A-3M系列)
I2C: 将SDA设为“H”,且将SCL设成“H”或“L” (对象产品: BR24G-3/BR24G-3A/BR24A-WM/BR24T-3AM系列)
FAQ ID: 1797
有没有设想过正在对EEPROM进行写入(Write)或读出(Read)操作时, 电源被切断时会出现什么情况?
防止低电压误写入电路(LV
CC
电路)就会工作,取消写指令,避免错误写入。
电源上升时注意事项 使电源上升到“ Power On Reset(P.O.R电路)”工作。
目标产品: BR24Lxx Series, BR25Lxx0 Series, BR93Lxx Series
FAQ ID: 13
关于SPI的EEPROM,
在SO的上升沿和下降沿中,数据输出延迟时间tPD的规定是否一样?
tPD的规定就是从SCK的下降沿到SO的上升沿,或者是SCK的下降沿到SO下降沿的时间。
对象产品:BR25G-3/BR25H-2C/BR25H-2AC/BR25A-3M系列
FAQ ID: 1826
关于SPI的EEPROM,
请告知SO输出端子的电路结构。
SO输出为CMOS结构,而非漏极开路。
对象产品:BR25G-3/BR25H-2C/BR25H-2AC/BR25A-3M系列
FAQ ID: 1817
如何定义改写次数?
每bit保证可改写100万次。
没有整片IC的可改写次数。
注1)可改写次数与工作温度条件有关。实际可改写次数数据可另外通过营业部门了解。
注2)可改写次数与数据保持年数无关。
FAQ ID: 17
关于EEPROM,
数据改写次数是否也包含数据删除次数?
数据删除也在改写次数之内。
FAQ ID: 1822
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