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关于I²C的EEPROM,在内部写入循环中是否也可以通过WP(写保护)端子取消存储器写入?
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关于I²C的EEPROM,
在内部写入循环中是否也可以通过WP(写保护)端子取消存储器写入?
BR24G-3/BR24G-3A系列
如写入循环中将WP端子设成“H”,则不接受取消。只有在地址之后第1个字节数据的最低位bit导入时钟启动边缘到停止条件的SDA上升沿的区间,取消才有效。
BR24A-WM/BR24T-3AM系列、BR24L-W/BR24S-W系列
虽然在写入循环中可以通过WP端子强制结束,但是会破坏写入对象的EEPROM数据,变得不稳定。请重新写入。除写入循环之外,其他的情况与BR24G系列一样。
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