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GaN HEMT
GaN（氮化镓）是一种化合物半导体材料，作为下一代功率器件用的材料被寄予厚望。与以往的Si器件相比，其开关性能和高频性能更加出色，因而在市场上的应用日益广泛。
不仅如此，其导通电阻也低于Si器件，有望助力众多应用实现更低功耗和小型化。
150V GaN HEMT
ROHM成功地将最大栅-源额定电压值提高至8V，产品非常适用于包括基站和数据中心在内的众多工业设备。
650V GaN HEMT
作为650V耐压的GaN器件，实现了业内出色的FOM（Figure of Merit），有助于提高电源效率，还可大大降低开关损耗，助力各种电源系统进一步提高效率。
ROHM将有助于应用产品的节能和小型化的GaN器件命名为“EcoGaN™系列”，并始终致力于进一步提高器件的性能。另外，ROHM不仅致力于元器件的开发，还与业内相关企业积极建立战略合作伙伴关系并推动联合开发，通过助力应用产品的效率提升和小型化，持续为解决社会问题贡献力量。
* EcoGaN™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。
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