RCJ120N20
N沟道 200V 12A 功率MOSFET
新设计非推荐
RCJ120N20
N沟道 200V 12A 功率MOSFET
为支持现有客户而生产的产品。不对新设计出售此产品。
主要规格
特性：
Package Code
TO-263 (D2PAK)
JEITA Package
SC-83
Number of terminal
3
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
200
Drain Current ID[A]
12
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.25
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.25
Total gate charge Qg[nC]
15
Power Dissipation (PD)[W]
52
Drive Voltage[V]
10
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
13.1x10.1 (t=4.7)
特点：
· 10V驱动型· N沟道功率MOSFET
· 快速开关速度
· 驱动电路更简洁
· 易于并联使用
· 无铅/符合RoHS标准
