R6055VNZ4
600V 55A TO-247, 内置高速二极管的PrestoMOS™
R6055VNZ4
600V 55A TO-247, 内置高速二极管的PrestoMOS™
R6055VNZ4是内置高速二极管第4代PrestoMOS™，非常适用于开关应用。
主要规格
特性：
Package Code
TO-247AD
Applications
Motor, Inverter, LLC, PSFB
Number of terminal
3
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
600
Drain Current ID[A]
55
RDS(on)[Ω] VGS=15V(Typ.)
0.059
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.059
Total gate charge Qg[nC]
80
Power Dissipation (PD)[W]
543
Drive Voltage[V]
15
Trr (Typ.)[ns]
112
Mounting Style
Leaded type
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Package Size [mm]
15.94x25.14 (t=5.22)
特点：
- Fast reverse recovery time(trr)
- Low on-resistance
- Fast switching speed
- Drive circuits can be simple
- Pb-free plating ; RoHS compliant
- Halogen free mold compound
产品概要
背景
近年来，随着全球电力消耗量的增加，如何有效利用电力已成为亟待解决的课题，在这种背景下，电动汽车充电桩、服务器和基站等工业设备以及空调等白色家电的效率不断提升，因此也就要求其中所用的功率半导体进一步降低功率损耗。针对这种需求，ROHM对以往的PrestoMOS™产品进行了改进，开发出具有比同等普通产品更低的导通电阻、有助于进一步降低应用产品功耗的产品。
概要
“R60xxYNx系列”采用ROHM的新工艺实现了业界超快的反向恢复时间（trr），同时，与反向恢复时间存在此消彼长关系的导通电阻最多也可以比同等的普通产品低20%。在反向恢复时间方面，继承了PrestoMOS™系列产品已经实现的105ns（纳秒）业界超快（与TO-220FM同等封装产品相比）反向恢复时间，而且开关时的功率损耗比同等普通产品低约17%。基于这两大特点，与同等的通用产品相比，可大大提高应用产品的效率。
特点
1．实现业界超快的反向恢复时间，同时实现业界超低的导通电阻
PrestoMOS™“R60xxVNx系列”通过采用ROHM新工艺降低了单位面积的导通电阻。由于与反向恢复时间之间存在权衡关系而很难同时兼顾的导通电阻，与同等普通产品相比，最多可减少20%（与TO-220FM同等封装产品相比），有助于进一步降低各种应用产品的功耗。
2．具有业界超快的反向恢复时间，开关损耗更低
通常，当工艺向更微细的方向发展时，导通电阻等基本性能会得到改善，但与之存在此消彼长关系的反向恢复时间会变差。而ROHM的PrestoMOS™“R60xxVNx系列”采用自有的速度提升技术，实现了比同等普通产品更低的导通电阻的同时，还实现了业界超快的105ns（纳秒）反向恢复时间（与TO-220FM同等封装产品比较）。由于抑制了额外的电流量，因此与同等的普通产品相比，开关过程中的功率损耗可以降低约17%。相比之下，包括“R60xxYNx系列”在内的标准型且相同导通电阻产品的反向恢复时间约300～400ns（纳秒）。
由于上述两大特点，在搭载了追求高效率的同步整流升压电路的评估板上，与导通电阻60mΩ级的产品进行比较时，“R60xxVNx系列”表现出比同等普通产品更出色的效率，非常有助于降低光伏逆变器和不间断电源（UPS）等应用的功耗。
应用示例
■电动汽车充电桩、服务器、基站、光伏逆变器（功率调节器）、不间断电源（UPS）等
■空调等白色家电
■其他各种设备的电机驱动和电源电路等
