RS6G120BG
Nch 40V 210A, HSOP8, 功率MOSFET
RS6G120BG
Nch 40V 210A, HSOP8, 功率MOSFET
RS6G120BG是一款非常适用于开关应用的低导通电阻MOSFET。
主要规格
特性:
Package Code
HSOP8S (5x6)
Number of terminal
8
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
40
Drain Current ID[A]
210
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.00103
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.00174
Total gate charge Qg[nC]
34
Power Dissipation (PD)[W]
104
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
4.9x6.0 (t=1.1)
特点:
- Low on - resistance
- High power package (HSOP8)
- Pb-free plating ; RoHS compliant
- Halogen free
- 100% Rg and UIS tested
产品概要
背景
近年来,全球电力需求量持续增长,如何有效利用电力已成为迫在眉睫的课题,这就要求不断提高各种电机和基站、服务器等工业设备的工作效率。在这些应用中,中等耐压的MOSFET被广泛应用于各种电路中,制造商要求进一步降低功耗。另一方面,“导通电阻”和“Qgd”是引起MOSFET功率损耗的两项主要参数,但对于普通的MOSFET而言,由于导通电阻与芯片尺寸成反比,Qgd会成比例增加,因此很难同时兼顾这两项参数。针对这个课题,ROHM通过微细化工艺、采用铜夹片连接、改进栅极结构等措施,改善了两者之间的权衡关系。
概要
“RS6xxxxBx / RH6xxxxBx系列”不仅利用微细化工艺提高了器件性能,还通过采用低阻值铜夹片连接的HSOP8封装和HSMT8封装,实现了仅2.1mΩ的业界超低导通电阻(Ron),相比以往产品,导通电阻降低了50%。另外,通过改进栅极结构,Qgd(栅-漏电荷,通常与导通电阻之间存在权衡关系)也比以往产品减少了约40%(Ron和Qgd均为耐压60V的HSOP8封装产品之间的比较)。这可以降低开关损耗和导通损耗,非常有助于各种应用产品的高效率工作。例如,当在工业设备用电源评估板上比较电源效率时,产品在稳态工作时的输出电流范围内,实现了业界超高的电源效率(峰值时高达约95%)。
应用示例
◇通信基站和服务器用的电源
◇工业和消费电子产品用的电机
以及其他各种设备的电源电路和电机驱动。