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2.5V Drive Nch MOSFET_RU1L002SN

电界効果晶体管的MOSFET。提供通过采用细微流程的「针对通信产品的超低阻值的设备」而产生的节能的功率MOSFET,并且结合用途,以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。

* 本产品是标准级的产品。本产品不建议使用的车载设备。
型号 | RU1L002SNTL
Status | 供应中
封装 | UMT3F
包装数量 | 3000
最小独立包装数量 | 3000
包装形态 | Taping
RoHS | Yes

特性:

Grade

Standard

Package Code

SOT-323FL

JEITA Package

SC-85

Package Size[mm]

2.0x2.1(t=0.9)

Number of terminal

3

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

60

Drain Current ID[A]

0.25

RDS(on)[Ω] VGS=2.5V (Typ.)

3.0

RDS(on)[Ω] VGS=4V (Typ.)

2.3

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.)

2.1

RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.)

1.7

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

3.0

Power Dissipation (PD)[W]

0.2

Drive Voltage[V]

2.5

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

特点:

・2.5V驱动型 Nch 小信号MOSFET