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ROHM开发出确保安装可靠性的车载用超小型MOSFET“RV4xxx系列”

2019年7月23日

<概要>

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)开发出1.6mm×1.6mm尺寸超小型MOSFET“RV4xxx系列”,该系列产品可确保部件安装后的可靠性,且符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101,是确保车规级品质的高可靠性产品。另外,产品采用了ROHM独有的封装加工技术,非常有助于对品质要求高的高级驾驶辅助系统(ADAS)摄像头模块等汽车电子的小型化。
RV4xxx系列已于2019年5月份开始出售样品(样品价格 100日元/个,不含税),预计于2019年9月开始暂以月产10万个规模投入量产。

MOSFET「RV4xxx系列」

<背景>

近年来,ADAS不可或缺的车载摄像头,受安装空间的限制,对所配置部件的小型化要求越来越高。为满足这些市场需求,在保持大电流的前提下,有望进一步实现小型化的底部电极封装MOSFET备受瞩目。
另一方面,对于汽车电子产品,为确保可靠性,会在产品安装后进行外观检测*1),但由于底部电极封装在侧面没有充分形成稳定的焊接面,因此无法确保汽车电子需要的焊料高度,并且很难确认安装后的焊接状态,这是长期以来存在的课题。
ROHM一直致力于包括超小型MOSFET在内的行业领先产品的开发,并创造了傲人业绩。此次,通过引入ROHM独有工艺方法的 Wettable Flank成型技术*2),底面电极封装也能形成焊接面。作为业界首家、保证封装侧面电极部分130μm的高度,因此可在产品安装后的外观检测中可以充分确认焊接状态。
未来,ROHM会充分运用Wettable Flank成型技术优势,继续开发小型封装技术,并将技术优势从MOSFET扩展到双极晶体管和二极管产品,持续扩充追求小型高可靠性的产品阵容。

※截至2019年7月23日 ROHM调查数据

车载用超小型MOSFET“RV4xxx系列”的优势:实现产品安装时的焊料高度在130μm以上,安装可视性更高

<特点>

1. 利用融入ROHM独有工艺方法的Wettable Flank成型技术,保证封装侧面电极部分130μm的高度

Wettable Flank成型技术是在封装侧面的引线框架部加入切割再进行电镀的技术。但是,引线框架切割高度越高越容易产生毛刺。
为此,ROHM开发出独有的工艺方法,在引线框架整个表面上设置了用来减少毛刺的阻挡层。这可以防止产品安装时的倾斜和焊接不良,而且作为DFN1616封装产品(1.6mm×1.6mm),业界首家保证封装侧面电极部分130μm的高度。

利用融入ROHM独有工艺方法的Wettable Flank成型技术,保证封装侧面电极部分130μm的高度

 

2. 替换为小型底部电极 MOSFET,削减安装面积

以往ADAS摄像头模块的反接保护电路主要采用肖特基势垒二极管(SBD)。但是,随着摄像头的分辨率日益提高,在超大电流化方向发展的车载市场,由于小型底部电极MOSFET具有导通电阻低且可减少发热量的特点,替换掉SBD已经是大势所趋。
例如电流2.0A、功耗0.6W时,在车载市场被广为使用的带引脚封装MOSFET,与SBD相比,可削减30%的安装面积。而底部电极封装的MOSFET,由于是底部电极,散热性更好,不仅可实现小型化,还可实现大电流化。因此,与传统的SBD相比,其安装面积可削减78%,与普通的MOSFET相比,其安装面积可削减68%。

替换为小型底部电极 MOSFET,削减安装面积

<产品阵容>

产品名称 极性
[ch]
漏极
源极间
耐压
VDSS[V]
漏极
电流
ID[A]
驱动电压
[V]
漏极 - 源极间导通电阻
RDS(on)[mΩ]
@VGS=10V
RDS(on)[mΩ]
@VGS=4.5V
RDS(on)[mΩ]
@VGS=4.0V
RDS(on)[mΩ]
@VGS=2.5V
RDS(on)[mΩ]
@VGS=1.8V
RDS(on)[mΩ]
@VGS=1.5V
Typ. Max. Typ. Max. Typ. Max. Typ. Max. Typ. Max. Typ. Max.

RV4E031RP HZG
P 30 3.1 4.0 75 105 108 152 122 172

RV4C020ZP HZG
P 20 2.0 2.5 180 260 240 340 320 450 400 560

<术语解说>

*1)  外观检测
也称自动光学检查或AOI(Automated Optical Inspection)。例如,用摄像头扫描电路板,以检查部件缺陷和品质缺陷、焊接状态等。
*2)  Wettable Flank技术
在QFN和DFN等底部电极封装的侧面引线框架部加入切割再进行电镀加工,在侧面也形成电极的技术。
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