罗姆“开发8英寸新一代SiC MOSFET”入选NEDO绿色创新基金项目

2022年3月1日

全球知名半导体制造商罗姆（ROHM Co., Ltd.，以下简称“罗姆”）针对日本国立研究开发法人新能源产业技术综合开发机构（以下简称“NEDO”）公开征集的“绿色创新基金事业/新一代数字基础设施建设”项目的研发项目之一“新一代功率半导体产品制造技术开发”，提出“8英寸新一代SiC MOSFET的开发”（以下简称“本项目”）方案，并成功入选。

“绿色创新基金”是2020年12月25日由日本经济产业省会同相关省厅制定的“2050年碳中和绿色增长战略”中，为打造“经济增长与环境保护的良性循环”而设立的基金。

“新一代数字基础设施建设”项目的目标是促进实现碳中和社会所不可或缺的数字基础设施的节能化和高性能化的研发和社会实际应用。而本项目则旨在通过提高新一代半导体制造技术能力，促进其在电动汽车和工业设备等各种设备和设施中的普及。

罗姆在SiC功率半导体的研发和产品化方面一直走在时代前列。SiC功率半导体与以往的Si功率半导体相比，功率损耗非常小，可实现应用设备的小型轻量化，因而有望大大提高数字基础设施的节能能力和性能。

罗姆旨在通过本项目，努力开发使用大直径晶圆（8英寸）的工艺技术和制造技术，并加快采用了这种晶圆的新一代SiC MOSFET的开发和量产速度，通过为各种应用设备的节能化和小型化做出贡献，助力实现可持续发展的社会。

 

NEDO绿色创新基金事业

 

要想了解更多关于“绿色创新基金事业/下一代数字基础设施建设”项目的信息，请阅读NEDO发布的新闻：
https://www.nedo.go.jp/news/press/AA5_101513.html