栅极驱动器

栅极驱动器

采用罗姆独创的微细加工技术,开发出片上变压器工艺。进而成功开发出小型、内置绝缘元件的栅极驱动器。

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Power DeviceIsolation
Voltage
Driving
Capability
(Iout)
FunctionOperation VoltageNegative VoltageMiller ClampUVLO [ON/OFF]Short Circuit
Protection (Note 2)
DESAT (Note 2)Soft Turn OFF
after short detection
Temp MonitorThermal shut down
with Ext. Sensor
PackageEvaluation Kit
SimpleComplex
Automotive
~Gen3 SiC
Drive voltage
over 18V
3.75k
Vrms
±4ABM61S40RFV-C-16 to 20V-Built-in14.5V/15.0V-----SSOP-B10W
BM61S41RFV-C16 to 24V-Built-in14.5V/15.0V-----SSOP-B10W
SiC,
IGBT,
Si-MOSFET
2.5k
Vrms
+3/-5A-BM60060FV-C13.5 to 24V-Built-in11.5V/12.5V--SSOP-B28W-
± 5A-BM60055FV-C9 to 24V-Built-in
(Note 1)
--SSOP-B28W-
± 4.5A-BM6109FV-C14 to 18V-Ext.
MOSFET
12.0V/12.5V--SSOP-B28W-
3A-BM6101FV-C14 to 24V-12 to 0VExt.
MOSFET
11.5V/12.5V-SSOP-B20W-
BM6102FV-C14 to 20V- Ext.
MOSFET
11.5V/12.5V-SSOP-B20W-
BM6104FV-C10 to 24V-12 to 0V Ext.
MOSFET
9.05V/9.55V--SSOP-B20W-
BM60052AFV-C10 to 20V-12 to 0VBuilt-in
(Note 1)
--SSOP-B28W-
BM60054AFV-C10 to 20V-12 to 0VBuilt-in
(Note 1)
-SSOP-B28W-
Si-MOSFET3.75k
Vrms
4ABM61M41RFV-C-9 to 24V-Built-in7.4V/7.8V-----SSOP-B10W
Industry
SiC
IGBT
Si-MOSFET
2.5k
Vrms
±3A-BM6108FV-LB10 to 24V-12V to 0VExt.
MOSFET
9.05V/9.55V--SSOP-B20W-

(Note 1) OFF/ON Voltage is adjustable by external settings
(Note 2) Either of SCP and DESAT function can be used

X X

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      评估板

       

      为了确保功率器件能够安全且充分发挥性能地工作,栅极驱动器IC的选择十分重要。
      ROHM的栅极驱动器IC评估板具有以下产品阵容。
      考虑到栅极驱动器IC评估板需要连接到设置板上的功率器件以进行评估,所以减小了基板面积。
      单通道栅极驱动器IC的评估板除了有1pcs实装品之外,还提供适用于板桥电路的2pcs实装品。
      此外 ,通过启用栅极驱动器IC用的Spice模型,还可以通过Simulation进行应用验证。

      使用案例

      开发板上栅极驱动器IC的替换案例

      使用案例

      栅极驱动器IC评估板可用于替换开发板上的栅极驱动器IC。
      不同封装和引脚的栅极驱动器IC很难在开发板上进行直接替换。
      栅极驱动器IC评估板的电源、信号输入输出端子的布局考虑到与开发板的布线链接,也可在评估板上使用需要调整的栅极电阻。

      Galvanic Isolation Series [Isolation Voltage: 3.75kVrms]

      评估板 栅极驱动器IC 评估板
      EVK Name Application Gate Drive
      Voltage,
      Current
      Gate Drive
      Channel
      电路板
      概要
      Board size
      [mm]
      Parts Name IC概要 Spice
      模型
      评估板
      使用指南
      购买
      BM61S40RFV-EVK001 SiC MOSFET
      Gate Drive
      16 to 20V,
      4A
      (Note 1)
      1ch 概要 33 x 16 BM61S40RFV-C IC概要
      概要
      Spice
      模型
      使用指南 网上代理店
      BM61S40RFV-EVK002 2ch 33 x 32 使用指南 网上代理店
      BM61S41RFV-EVK001 SiC MOSFET
      Gate Drive
      16 to 24V,
      4A
      1ch 33 x 16 BM61S41RFV-C Spice
      模型
      使用指南 网上代理店
      BM61S41RFV-EVK002 2ch 33 x 32 使用指南 网上代理店
      BM61M41RFV-EVK001 Si MOSFET
      Gate Drive
      9 to 24V,
      4A
      1ch 33 x 16 BM61M41RFV-C Spice
      模型
      使用指南 网上代理店
      BM61M41RFV-EVK002 2ch 33 x 32 使用指南 网上代理店

      (Note 1) Max Gate Drive Voltage is protected by Over Voltage Protection

      评估板

      Galvanic Isolation Series在对应基础绝缘的应用方面拥有单通道驱动产品,以及可以应用在板桥电路上的双通道驱动产品。

      1ch Galvanic Isolation Gate Driver Board (1pcs)

      使用指南
      应用案例

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      2ch Galvanic Isolation Gate Driver Board (2pcs)

      使用指南
      应用案例

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      栅极驱动器IC

      Small footprint for 8mm creepage distance

      1ch 栅极驱动器
      • 1ch栅极驱动器
      • Small Package: 3.5mm x 10.2mm x 1.9mm
      • 基础绝缘
      • Miller Clamp 内置电路
      • I/O Delay time: 65ns (Max)
      • 通过双输入信号(INA、INB)实现伴有输出逻辑控制、外部噪音的栅极“H”输出防止设计
      • 输入信号电压(Note 2): VINH:2.0 V or over / VINL : 0.8V or under

      (Note 2) 信号输入侧的电源电压范围(VCC1)是与输入信号无关的4.5~5.5V。

      Truth table

      INA
      (input)
      INB
      (input)
      OUT
      (Output)
      L H L
      H L H
      L L L
      H H L
      测定图

      1200V High Voltage High and Low Side Driver

      评估板 栅极驱动器IC 评估板
      EVK Name Application Gate Drive
      Voltage,
      Current
      Miller Clamp 电路板
      概要
      Board size
      [mm]
      Parts Name IC概要 Spice
      模型
      评估板
      使用指南
      购买
      BM60212FV-EVK001 IGBT Gate Drive
      Si MOSFET Gate Drive
      10 to 24V,
      3A
      (Note 3)
      Built-in 概要 33 x 21 BM60212FV-C IC概要
      概要
      - 使用指南 网上
      代理店
      BM60213FV-EVK001 - BM60213FV-C - 使用指南 网上
      代理店

      (Note 3) Power supply voltage is from 10 to 24V relative to low-side and input-side ground.

      评估板

      仅需与应用链接,即可简单替换。

      使用指南
      应用案例

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      栅极驱动器IC

      栅极驱动器
      • Turn on/off time: 75ns (Max)
      • 通过三输入信号(EN、INA、INB)实现输出逻辑控制。通过外部噪音实现高侧、低侧同时ON防止设计
      • Package: 6.50mm x 8.10mm x 2.01mm
      • Miller Clamp内置电路 [仅BM60212FV-C]
      • 输入信号电压(Note 4): VINH : 2.0 V or over / VINL : 0.8V or under
      • Gate Drive Voltage:10 to 24V
      • Gate Drive Current:3A

      (Note 4) 电源电压范围(VCCB)10~24V。

      Truth table

      ENA
      (input)
      INA
      (input)
      INB
      (input)
      OUTA
      (output)
      OUTB
      (output)
      L X X L L
      H L L L L
      H L H L H
      H H L H L
      H H H L L
      测定图

      Power Device Lineup