SiC（碳化硅）MOSFET
SiC (碳化硅) MOSFET

SiC（碳化硅）MOSFET

SiC MOSFET原理上在开关过程中不会产生拖尾尾电流，可高速运行且开关损耗低。低导通电阻和小型芯片尺寸造就较低的电容和栅极电荷。此外，SiC还具有如导通电阻增加量很小的优异的材料属性，并且有比导通电阻可能随着温度的升高而上升2倍以上的硅（Si）器件更优异的封装微型化和节能的优点。

第4代SiC MOSFET

新推出的第4代SiC MOSFET，在改善短路耐受时间的前提下实现了业内超低导通电阻。另外，还具有低开关损耗和支持15V栅-源电压等特点，有助于设备进一步节能。

分立封装产品阵容

罗姆可供应带有驱动器源极引脚的TO-263-7L（7pin SMD）和TO-247-4L（4pin THD）封装产品，可更大程度地激发出SiC MOSFET的高速开关性能。另外，使用表贴型封装，可以实现贴装工序的自动化，有助于提高生产效率。

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      产品概要

       

      第4代SiC MOSFET

      罗姆于2020年完成开发的第4代SiC MOSFET，是在改善短路耐受时间的情况下实现业内超低导通电阻的产品，目前不仅可供应裸芯片，还可供应分立封装的产品。该产品有助于实现车载逆变器和各种开关电源等各种应用的小型化和低功耗。

      特点

      1.在改善短路耐受时间的前提下实现业内超低导通电阻

      在第4代SiC MOSFET中，通过进一步改进罗姆自有的双沟槽结构，成功地在改善短路耐受时间的前提下，使导通电阻比以往产品降低约40%。作为SiC MOSFET，实现了业界超低的导通电阻。

      2.通过大幅降低寄生电容，实现更低开关损耗

      第4代SiC MOSFET，通过大幅降低栅漏电容（Cgd），成功地使开关损耗比以往产品降低约50％。

      3.支持15V栅源驱动电压，使应用产品的设计更容易

      在MOSFET中，需要在器件ON时向晶体管的栅极施加一定量的电压。除了到第3代SiC MOSFET为止所支持的18V栅源驱动电压（Vgs）外，第4代SiC MOSFET还支持更容易处理的15V栅源驱动电压，可与IGBT一起用来设计驱动电路（栅极驱动电路）。

      导通电阻比较
      开关损耗比较

      应用示例：主驱逆变器

      有助于包括车载逆变器和各种开关电源在内的各种应用产品实现显著的小型化和更低功耗，比如在用于车载主驱逆变器时，与使用IGBT时相比，效率可以得到显着提升，主要体现在逆变器的高扭矩和低转速范围，从而可使电耗减少6%（按国际标准“WLTC燃料消耗量测试”计算）。

      第4代SiC MOSFET和IGBT逆变器效率比较

       

      第4代SiC MOSFET 支持信息

      评估板

      4th Generation SiC MOSFET Half Bridge Evaluation Board
      P04SCT4018KE-EVK-001/P05SCT4018KR-EVK-001

      P04SCT4018KE-EVK-001/P05SCT4018KR-EVK-001是一款可以评估采用TO-247N/TO-247-4L封装的第4代SiC MOSFET的评估板。该评估板中配有栅极驱动器和外围电路，可以减少设计和评估工时。

      Evaluation board
      Evaluation Board HB2637L-EVK-301

      The evaluation board is configured in a half bridge set up and thus allows evaluations in different operations modes such as buck, boost, synchronous buck/boost and inverter operations. The board is equipped with two SiC MOSFETs(SCT4036KW7), isolated gate driver BM61S41RFV-C, isolated power supply required for the gate driver, LDO for 5V supply and easy to interface connectors for PWM signals.

      EVK Simulatrion (ROHM Solution Simulator)
      ・P05CT4018KR-EVK-001 Double Pulse Test
      ・P04SCT4018KE-EVK-001 Double Pulse Test
      ・HB2637L-EVK-301 Double Pulse Test

      我们对评估板进行了建模，并在在线模拟器中为第4代SiC MOSFET准备了双脉冲测试环境。 可以通过模拟评估基于工作电压、栅极驱动电路、缓冲电路常数等的开关波形，并有助于减少实机评估的工时以及用于对寄生电感器的效果评估等。（需要注册MyROHM）

      Documents

      White Paper

      Application Note

      Design Model

      Part Number Drain-source Voltage[V] Drain-source On-state Resistance
      (Typ.(mΩ)      		 Package SPICE
      Model      		 Thermal
      Model      		 PLECS
      Model      		 PCB
      Library
      SCT4045DE 750 45
      TO-247N      		 Available Available Available
      SCT4026DE 26 Available Available Available
      SCT4013DE 13 Available - Available -
      SCT4062KE 1200 62 Available Available Available
      SCT4036KE 36 Available Available Available
      SCT4018KE 18 Available - Available -
      SCT4045DR 750 45
      TO-247-4L      		 Available Available Available
      SCT4026DR 26 Available Available Available
      SCT4013DR 13 Available Available Available
      SCT4062KR 1200 62 Available Available Available
      SCT4036KR 36 Available Available Available
      SCT4018KR 18 Available Available Available
      SCT4045DW7 750 45
      TO-263-7L      		 Available - Available
      SCT4026DW7 26 Available - Available
      SCT4013DW7 13 Available - Available
      SCT4062KW7 1200 62 Available - Available
      SCT4036KW7 36 Available - Available
      SCT4018KW7 18 Available - Available

      仿真（需登录MyROHM）

      TO-247N (3pin)

      TO-247-4L (4pin)

       

      SiC MOSFET 支持信息

      评估板

      Category SiC Product Image Part No. User Guide Purchase Board
      SiC-MOS  Evaluation
      Board      		 SCT4XXX series Trench(4th Generation) TO-247-N NEW
      P04SCT4018KE-EVK-001      		 使用说明书
      产品规格      		 咨询
      SCT4XXX series Trench(4th Generation) TO-247-4L NEW
      P05SCT4018KR-EVK-001      		 咨询
      SCT3XXX series Trench(3rd Generation) TO-247-4L P02SCT3040KR-EVK-001  使用说明书
      产品规格书      		 从网售平台购买

      文档

      White Paper

      Application Note

      技术记事

      Schematic Design ＆ Verification

      Thermal Design

      Models ＆ Tools

      仿真（需登录MyROHM）

      ROHM Solution Simulator是在ROHM官网上运行的电子电路仿真工具。从部件选型和元器件单体验证等开发初期阶段到系统级的验证阶段，各种仿真工作都可以在Web上执行。ROHM提供的SiC元器件等功率元器件产品、驱动IC和电源IC等IC产品，都可以在接近实际环境的解决方案电路中快速简单的一并进行验证，从而可显著缩短应用开发周期。

      TO-247N (3pin)

      TO-247-4L (4pin)

      应用

      拓扑电路

      相关产品