SiC（碳化硅）MOSFET
SiC MOSFET原理上在开关过程中不会产生拖尾尾电流，可高速运行且开关损耗低。低导通电阻和小型芯片尺寸造就较低的电容和栅极电荷。此外，SiC还具有如导通电阻增加量很小的优异的材料属性，并且有比导通电阻可能随着温度的升高而上升2倍以上的硅（Si）器件更优异的封装微型化和节能的优点。
第4代SiC MOSFET
新推出的第4代SiC MOSFET，在改善短路耐受时间的前提下实现了业内超低导通电阻。另外，还具有低开关损耗和支持15V栅-源电压等特点，有助于设备进一步节能。
SiC MOSFET、SiC SBD的分立封装发展规划
目前的封装阵容及开发中的封装。
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产品概要
第4代SiC MOSFET
罗姆于2020年完成开发的第4代SiC MOSFET，是在改善短路耐受时间的情况下实现业内超低导通电阻的产品，目前不仅可供应裸芯片，还可供应分立封装的产品。该产品有助于实现车载逆变器和各种开关电源等各种应用的小型化和低功耗。
特点
1.在改善短路耐受时间的前提下实现业内超低导通电阻
在第4代SiC MOSFET中，通过进一步改进罗姆自有的双沟槽结构，成功地在改善短路耐受时间的前提下，使导通电阻比以往产品降低约40%。作为SiC MOSFET，实现了业界超低的导通电阻。
2.通过大幅降低寄生电容，实现更低开关损耗
第4代SiC MOSFET，通过大幅降低栅漏电容（Cgd），成功地使开关损耗比以往产品降低约50％。
3.支持15V栅源驱动电压，使应用产品的设计更容易
在MOSFET中，需要在器件ON时向晶体管的栅极施加一定量的电压。除了到第3代SiC MOSFET为止所支持的18V栅源驱动电压（Vgs）外，第4代SiC MOSFET还支持更容易处理的15V栅源驱动电压，可与IGBT一起用来设计驱动电路（栅极驱动电路）。
应用示例：主驱逆变器
有助于包括车载逆变器和各种开关电源在内的各种应用产品实现显著的小型化和更低功耗，比如在用于车载主驱逆变器时，与使用IGBT时相比，效率可以得到显着提升，主要体现在逆变器的高扭矩和低转速范围，从而可使电耗减少6%（按国际标准“WLTC燃料消耗量测试”计算）。
第4代SiC MOSFET 支持信息
评估板
Evaluation Board HB2637L-EVK-301
The evaluation board is configured in a half bridge set up and thus allows evaluations in different operations modes such as buck, boost, synchronous buck/boost and inverter operations. The board is equipped with two SiC MOSFETs(SCT4036KW7), isolated gate driver BM61S41RFV-C, isolated power supply required for the gate driver, LDO for 5V supply and easy to interface connectors for PWM signals.
EVK Simulatrion (ROHM Solution Simulator)
・P05CT4018KR-EVK-001 Double Pulse Test
・P04SCT4018KE-EVK-001 Double Pulse Test
・HB2637L-EVK-301 Double Pulse Test
我们对评估板进行了建模，并在在线模拟器中为第4代SiC MOSFET准备了双脉冲测试环境。 可以通过模拟评估基于工作电压、栅极驱动电路、缓冲电路常数等的开关波形，并有助于减少实机评估的工时以及用于对寄生电感器的效果评估等。（需要注册MyROHM）
Documents
White Paper
Application Note
Design Model
| Part Number | Drain-source Voltage[V] | Drain-source On-state Resistance (Typ.(mΩ) |
Package | SPICE Model? |
PLECS Model? |
PSIM Model? |
PCB Library? |
| SCT4045DE | 750 | 45 |  TO-247N |
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| SCT4026DE | 26 |
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| SCT4013DE | 13 |
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| SCT4062KE | 1200 | 62 |
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| SCT4036KE | 36 |
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| SCT4018KE | 18 |
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| SCT4045DR | 750 | 45 |  TO-247-4L |
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| SCT4026DR | 26 |
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| SCT4013DR | 13 |
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| SCT4062KR | 1200 | 62 |
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| SCT4036KR | 36 |
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| SCT4018KR | 18 |
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| SCT4045DW7 | 750 | 45 |  TO-263-7L |
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| SCT4026DW7 | 26 |
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| SCT4013DW7 | 13 |
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| SCT4062KW7 | 1200 | 62 |
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| SCT4036KW7 | 36 |
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| SCT4018KW7 | 18 |
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仿真（需登录MyROHM）
- [4th Gen SiC] D-001. P05SCT4018KR-EVK-001 Double Pulse Test
- [4th Gen SiC] D-002. P04SCT4018KE-EVK-001 Double Pulse Test
- [4th Gen SiC] D-003. HB2637L-EVK-301_SCT4036KW7 Double Pulse Test
TO-247N (3pin)
- [4th Gen SiC] A-011b. Totem-pole PFC Vin=220V Vout=400V Pout=3.3kW
- [4th Gen SiC] C-016b. LLC Full-Bridge Vin=400V Vout=500V Pout=3.3kW
TO-247-4L (4pin)
SiC MOSFET 支持信息
评估板
| Category | SiC Product | Image | Part No. | User Guide | Purchase Board | |
| SiC-MOS | Evaluation Board |
SCT4XXX series Trench(4th Generation) TO-247-N |  |
NEW P04SCT4018KE-EVK-001 |
使用说明书 产品规格 |
从网售平台购买 |
| SCT4XXX series Trench(4th Generation) TO-247-4L |  |
NEW P05SCT4018KR-EVK-001 |
从网售平台购买 | |||
| SCT3XXX series Trench(3rd Generation) TO-247-4L |  |
P02SCT3040KR-EVK-001 | 使用说明书 产品规格书 |
从网售平台购买 | ||
文档
White Paper
- 成功实现功率器件热设计的4大步骤
- Cutting-Edge Web Simulation Tool “ROHM Solution Simulator” Capable of Complete Circuit Verification of Power Devices and Driver ICs
- 适用于超低温冷柜的 BLDC 电机解决方案
- LEADRIVE: Design, Test And System Evaluation Of Silicon Carbide Power Modules And Motor Control Units
- Solving The Challenges Of Driving SiC MOSFETs With New Packaging Developments
Application Note
- 第4代 SiC MOSFET分立器件的特性和电路设计的注意点 应用笔记
- 使用第4代 SiC MOSFET 的5kW 逆变电路
- 第4代SiC MOSFET使用时的应用优势
- 5kW 高效率无风扇逆变电路
- 800V三相输出LLC DC/DC共振转换器电路
- 通过驱动源极端子改善开关损耗
技术记事
Schematic Design ＆ Verification
- MOSFET 并联使用时的发振对策
- SiC功率器件･模块 应用笔记
- 根据测定波形计算功率损耗
- 开关电路的功率损失计算
- 开关波形的监测方法
- 栅源电压测定时的注意点
- 缓冲电路的设计方法
- 桥式电路相关的Gate-Source 电圧的动作
- 栅极-源极电压的浪涌抑制方法
- 通过驱动源极端子改善开关损耗
- 功率测量中探针校正的重要性 倾斜校正篇
- 旁路电容器的阻抗特性
- SiC MOSFET基板Layout设计上的注意点
- 驱动源极端子的连接方法
Thermal Design
- 何谓热设计
- 热阻和散热的基础
- 使用瞬态热阻抗计算结温的方法
- Notes for Temperature Measurement Using Thermocouples
- 热仿真用双热阻模型
- Notes for Temperature Measurement Using Forward Voltage of PN Junction
- 热模型是什么（SiC功率器件篇）
- 热模型使用方法（SiC功率器件篇）
- 热阻RthJC 的测量方法和使用方法
- 使用热电偶测量封装背面温度时的注意点
Models ＆ Tools
仿真（需登录MyROHM）
ROHM Solution Simulator是在ROHM官网上运行的电子电路仿真工具。从部件选型和元器件单体验证等开发初期阶段到系统级的验证阶段，各种仿真工作都可以在Web上执行。ROHM提供的SiC元器件等功率元器件产品、驱动IC和电源IC等IC产品，都可以在接近实际环境的解决方案电路中快速简单的一并进行验证，从而可显著缩短应用开发周期。
TO-247N (3pin)
- [4th Gen SiC] A-011b. Totem-pole PFC Vin=220V Vout=400V Pout=3.3kW
- [4th Gen SiC] C-016b. LLC Full-Bridge Vin=400V Vout=500V Pout=3.3kW
TO-247-4L (4pin)
- [4th Gen SiC] A-011a. Totem-pole PFC Vin=220V Vout=400V Pout=3.3kW
- [4th Gen SiC] C-016a. LLC Full-Bridge Vin=400V Vout=500V Pout=3.3kW
- [4th Gen SiC] D-001. P05SCT4018KR-EVK-001 Double Pulse Test
- [4th Gen SiC] D-002. P04SCT4018KE-EVK-001 Double Pulse Test
- [4th Gen SiC] D-003. HB2637L-EVK-301_SCT4036KW7 Double Pulse Test
- A-001. Boost PFC VIN=200V, IIN=2.5A BCM
- A-002. Boost PFC VIN=200V, IIN=2.5A CCM
- A-003. Boost PFC VIN=200V, IIN=2.5A CCM Synchronous FETs
- A-004. Boost PFC VIN=200V, IIN=2.5A DCM
- A-005. Boost PFC VIN=200V, IIN=2.5A DCM Synchronous FETs
- A-006. Interleaved PFC VIN=200V, IIN=2.5A CCM
- A-008. Interleaved PFC VIN=200V, IIN=2.5A DCM
- A-012. Diode-Bridgeless PFC VIN=200V, IIN=2.5A BCM
- B-011. 3-Phase 3-level NPC-T Inverter POUT=10kW
- B-012. 3-Phase 3-level NPC-I Inverter POUT=10kW
- C006. DC-DC Converter, Buck Converter Vo=250V Io=20A
- C007. DC-DC Converter, Buck Converter 2-Phase Vo=250V Io=40A
- C010. DC-DC Converter, Flyback Converter VIN=800V Vo=25V Io=10A
- C011. DC-DC Converter, Forward Converter VIN=500V Vo=25V Io=10A
- C012. DC-DC Converter, LLC Buck Converter Vo=12V Io=250A
- C013. DC-DC Converter, Phase-Shift Buck Converter Vo=12V Io=250A
- C014. DC-DC Converter, Quasi-Resonant Converter VIN=800V Vo=25 Io=10A
- ROHM Solution Simulator Power Device User's Guide for Inverter