SiC(碳化硅)MOSFET

SiC MOSFET消除了开关期间的拖尾电流,使得操作更迅速并减少了开关损耗。其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了较低的电容和栅极电荷。SiC的导通电阻增加量极小,并提供比Si器件更大的封装微型化和节能效果,因为Si器件的导通电阻可能随着温度的升高而上升2倍以上。SiC MOSFET的特性在医疗成像设备中的价值尤为突出。它具有近乎瞬时开关的能力,让制造商能够打造适用于X光设备的高压开关,使技术人员能够更好地控制测试期间的辐射暴露,同时仍然提供高质量的测试结果。在制造业领域,ROHM SCT2080KE MOSFET通过提供陡升时间,提升了生产力,从而提高了脉冲发生器的效率。
SiC (碳化硅) MOSFET
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