SiC(碳化硅)MOSFET

SiC MOSFET原理上在开关过程中不会产生拖尾尾电流,可高速运行且开关损耗低。低导通电阻和小型芯片尺寸造就较低的电容和栅极电荷。此外,SiC还具有如导通电阻增加量很小的优异的材料属性,并且有比导通电阻可能随着温度的升高而上升2倍以上的硅(Si)器件更优异的封装微型化和节能的优点。

ROHM发布了第三代沟槽栅型SiC MOSFETSCT3系列。这些MOSFET提供6种版本(650V/1200V),其特点是导通电阻比第2代平面型产品小50%,这使其非常适合需要高效率的大型服务器电源、UPS系统、太阳能转换器以及电动汽车充电站。

SCT3系列以能够更大限度提高开关性能的4引脚封装(TO-247-4L)形式提供。与传统3引脚封装类型相比开关损耗最大可以减少35%,有助于在各种应用中降低功耗。此外,与传统3引脚封装SiC MOSFET中的栅极电压因电源终端的电感元件而下降导致开关速度延迟不同的是,这种新型4引脚封装包含的栅极驱动器电源终端与传统电源终端分离,可更大限度减少栅极电压的下降,从而能够大幅度提高开关性能。
SiC (碳化硅) MOSFET
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