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评估板可轻松评估ROHM的 SiC肖特基势垒二极管SiC MOSFET“全SiC”功率模块(集成了SiC SBD和MOSFET)以及高耐热功率模块等系列产品。
这些小型、高效的半导体器件能够显著减小最终产品的尺寸,与评估板配合使用还可以帮助客户进行原型应用程序和初始开发。

评估板产品阵容

Category SiC Product  Image Part No. Maker 产品详情  User Guide 参考板获取
SiC-MOS  Evaluation Board SCT3XXX series Trench(3G) TO-247 3L/4L NEW P02SCT3040KR-EVK-001  ROHM 详情 使用说明书
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SiC Module Drive board  BSM series Planar (2G)(1200V, E / G type)  NEW
BSMGD2G12D24-EVK001 
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BSM series Trench(3G/4G) (1200V,E/G type) NEW
BSMGD3G12D24-EVK001
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BSM series (1200V,C type) NEW
BSMGD3C12D24-EVK001
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BSM series (1200V,1700V E/G type) 2EG-B series TAMURA  株式会社田村制作所官网
Snubber Module  BSM series (1200V, C type)  MGSM1D72J2-145MH26  ROHM - 咨询
BSM series (1200V,  E / G type)  MGSM1D72J2-145MH16  -
BSM250 (1700V,  E type)  MGSM1D72J3-934MH93 -
AC/DC  Evaluation Board SCT2H12NZ BD7682FJ-LB-EVK-402 ROHM 详情 应用手册 从网售平台购买

评估板详情

P02SCT3040KR-EVK-001

  • 罗姆 SCT3040KR(1200V 40mΩ TO-247-4L)评估用
    通过改变电路乘数器,可用来评估罗姆其他 SiC-MOSFET
  • 除TO-247-4L外,还有TO-247-3L的通孔,可在同一评估板上进行对比评估
  • 单一电源(+12V工作)
  • 可进行最大150A的双脉冲测试,最大开关工作频率500kHz
  • 支持各种电源拓扑(Buck, Boost, Half-Bridge)
  • 内置栅极驱动用隔离电源,可通过可变电阻调整(+12V~+23V)
  • 可通过跳线引脚来切换栅极驱动用负偏压和零偏压
  • 可防止上下臂同时导通,内置过电流保护功能(DESAT, OCP)

 

P02SCT3040KR-EVK-001

评估板和样品购买

  

[新产品] 4引脚封装SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”

  • 罗姆开发出6款沟槽栅结构SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”产品(650V/1200V耐压),非常适用于要求高效率的服务器用电源,太阳能逆变器及电动汽车的充电站等。
    此次新开发的系列产品,采用4引脚封装(TO-247-4L),可充分地发挥出SiC MOSFET本身的高速开关性能。与以往3引脚封装(TO-247N)相比,开关损耗可降低约35%,非常有助于进一步降低各种设备的功耗。

    新闻发布

1700V SiC-MOSFET + AC/DC转换器 评估板

该评估板集成了用于SiC驱动和 1700V SiC MOSFET的 ROHM AC/DC转换器控制IC,能够与大功率工业设备中的辅助电源配合使用。

BD7682FJ-LB-EVK-402

  • SiC-MOSFET驱动,ACDC评估板(反激式转换器)
  • 搭载1700V SiC-MOSFET SCT2H12NZZ
  • 搭载AC/DC转换器控制IC BD7682FJ-LB
  • 三相AC400~690V输入 24V/1A输出

 

BD7682FJ-LB-EVK-402

文档

栅源电压测定时的注意点
栅源电压测定时的注意点
通过驱动源极端子改善开关损耗
通过驱动源极端子改善开关损耗
缓冲电路的设计方法
缓冲电路的设计方法
桥式电路相关的Gate-Source电圧的动作
桥式电路相关的Gate-Source电圧的动作
栅极-源极电压的浪涌抑制方法
栅极-源极电压的浪涌抑制方法

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