
ROHM SiC元器件采用事例介绍Application Examples
下面介绍促进高效率、节能的采用事例。
关于详细信息及咨询事宜,请浏览各公司Web网站。
KINKI ROENTGEN INDUSTRIAL CO., LTD.通用电源
※国立研究开发法人 科学技术振兴机构 研究成果展开事业(Super cluster program)支援事业
利用SiC实现极度的小型化! 仅为以往的1/5! 500W输出
X射线发生装置用电源
概要
是面向X射线发生装置的通用电源系统。利用SiC,不仅可实现高效率,还可因低发热实现系统整体的小型化。
效果
利用SiC将功率损耗减少2%以上。并且,还可通过外置元器件及冷却机构的小型化,将电源每1W的容积减少到原来的约1/5。
NISSIN GIKEN Co.,LTD感应加热
※国立研究开发法人 科学技术振兴机构 研究成果展开事业(Super cluster program)支援事业
实现了完全空冷,转换效率提升10%! 5kW/10kW/15kW输出高频电源NET-5S/NET-10S/NET-15S
概要
高频电源作为材料开发及生产的加热源使用。利用SiC,实现了高效率。可将冷却系统从水冷转换为空冷,消除了因老化等导致的水故障。
效果
·转换效率平均提升10%(与Si-IGBT型比较)
·实现完全空冷(无水冷)
·使用金属溶解装置,缩短工序时间
Fukushima SiC Applied Engineering Inc.脉冲电源
※国立研究开发法人 科学技术振兴机构 研究成果展开事业(Super cluster program)支援事业
即使是100kV左右的高电压脉冲,也可实现30~50ns左右的陡峭的上升沿时间 100kV/240A-peak输出
Bipolar脉冲发生器SiC-Pulser
概要
为通用高电压脉冲发生器。陡峭的脉冲上升沿时间有助于提高薄膜涂层工艺等的生产效率以及改善质量。
效果
利用SiC,即使是100kV左右的高电压脉冲,也可实现30~50ns左右的陡峭的上升沿时间。
KURITA Seisakusho Co.,Ltd.脉冲电源
※国立研究开发法人 科学技术振兴机构 研究成果展开事业(Super Cluster Program)支援事业
利用SiC的高频特性,实现200kHz的脉冲等离子重复频率 1kW输出
液体中脉冲等离子发生装置1kW输出桌面型 MPP-HV04SiC
概要
采用SiC功率元器件模块,实现200kHz的脉冲等离子重复频率。
效果
要按需控制等离子化学反应,需要控制亚μ~数μs的脉冲等离子。通过发挥SiC的性能,实现Si-IGBT所难以达成的亚μ区域的高重复短脉冲等离子。
采用的ROHM产品
KURITA Seisakusho Co.,Ltd.脉冲电源
※国立研究开发法人 科学技术振兴机构 研究成果展开事业(Super Cluster Program)支援事业
可定制设计30kHz~300kHz的大功率等离子发生装置 3kW以上输出功率机型
液体中脉冲等离子发生装置3kW输出标准 MPP-HV※※系列SiC
概要
提供涵盖以往的30kHz领域到SiC独有的200kHz范围的大功率等离子反应场。还可根据用户需求定制设计,实现更大功率化、300kHz化等。
效果
对于等离子负载侧屡次发生的短路模式,也通过巧妙利用SiC的高温特性提高了耐过载量。
采用的ROHM产品
IKS Japan Co.,Ltd.能源
※国立研究开发法人 科学技术振兴机构 研究成果展开事业(Super cluster program)支援事业
采用SiC功率模块,减少了超过40%的功率损耗 10kW复合蓄电系统I_DENCON 10kW
概要
为微型智能电网系统,将PV*1、EV*2的充放电装置及发电机、蓄电池的电源与直流总线连接,可控制各电源的输入输出。与目前的市售产品相比,可减少超过70%的功率损耗。
*1 PV:太阳能发电系统
*2 EV:电动汽车
效果
典型案例的情况下,与使用Si元器件的产品相比,仅转换器部分就能减少超过40%的电力损失。
IKS Japan Co.,Ltd.能源
采用SiC功率模块,减少了超过40%的功率损耗 50kW复合蓄电系统I_DENCON 50kW
概要
为微型智能电网系统,将PV*1、EV*2的充放电装置及发电机、蓄电池的电源与直流总线连接,可控制各电源的输入输出。与目前的市售产品相比,可减少超过70%的功率损耗。
*1 PV:太阳能发电系统
*2 EV:电动汽车
效果
典型案例的情况下,与使用Si元器件的产品相比,仅转换器部分就能减少超过40%的电力损失。
Headspring Inc.SiC驱动工具
可轻松进行SiC元器件的驱动、评估的紧凑型实验工具SiC驱动、评估用实验工具
Circuit Block for Power Electronics (HGCB-2A-401350)
概要
用于驱动、评估SiC元器件的实验装置。主要在研究开发或功能试制等产品开发上游工序阶段,用于确认SiC元器件的响应性和损耗等。
效果
掌心大小的紧凑型,单机蕴藏着7.0kW的容量。
使用SiC元器件,可实现最大200kHz下的开关工作。
此外,还可与该公司制控制器进行组合。