肖特基二极管
ROHM的肖特基势垒二极管，拥有耐压范围6V～200V的丰富产品阵容。RB/RBS/RBR/RBQ系列是拥有超低VF～超低IR的肖特基势垒二极管产品群，生产量非常大，被广泛应用于消费电子、车载和工业设备等应用领域。以惊人的尺寸精度闻名的超小型RASMID™系列，采用ROHM自有的新工艺方法，实现了0402的小尺寸，非常适用于智能手机等需要高密度安装的移动设备。
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产品概要
产品阵容
在各种应用产品中，通常使用二极管来实现反接保护和电路整流等电路保护。随着各种应用产品对更低功耗的要求，比其他二极管效率更高的SBD正越来越多地被采用。
另一方面，如果为了追求效率而降低VF，则存在权衡关系的IR会升高，热失控的风险会随之增加，因此在设计电路的过程中，选择SBD时需要很好地权衡VF和IR。
在这种背景下，ROHM加强了追求低VF和低IR特性之间平衡的SBD系列的产品阵容，以车载市场为中心创造了非常优异的业绩。
今后，罗姆将继续努力提高半导体器件从低耐压到高耐压的质量，并进一步扩充特色产品的阵容，为应用的进一步小型化和低功耗做出贡献。
SBD相关文档
“推荐！新产品”介绍
White Paper
Application Note
YQ系列 低VF・低IR（耐圧：100V）
特点
通过采用新技术和独特的沟槽MOS结构，该系列的VF值和IR值都低于以往传统的平面结构，在一般沟槽MOS结构中因构造恶化的TRR也得到了改善，达到了与平面结构传统产品相当的水平（业界较高级别）。 因此不容易发生热失控，并且可以降低开关损耗，因此非常适合需要高速开关的应用，例如容易发热的汽车LED前照灯驱动电路和xEV的DC-DC转换器。
应用
汽车LED头灯、xEV DC-DC转换器、工业设备电源、照明等。
产品阵容
RBxx8系列 超低IR（耐圧：30V／40V／60V／100V／150V／200V）
特点
超低IR特性可以降低热失控风险，该系列非常适合需要在高温环境下运行的xEV的电池和电机外围ECU以及发动机ECU和变速箱ECU的整流用途。 产品阵容可到200V，可以替代该电压范围内通常使用的整流二极管和快速恢复二极管，从而大幅降低VF（比 FRD 低约 11%）。
应用
xEV电池管理系统、发动机ECU、工业设备逆变器等
产品阵容
RBQ系列 低IR（耐圧：45V／65V／100V）
特点
该系列采用自有的势垒形成技术，实现了VF和IR特性的均衡。与ROHM的传统产品相比，反向功率损耗降低了60%，从而降低了热失控风险，非常适合需要在高温环境下运行的发动机ECU的整流应用和高输出LED头灯的保护用途，以及大电流的工业设备的电源应用。
应用
xEV、发动机ECU、高输出LED头灯、工业设备电源等
产品阵容
RBR系列 低VF（耐圧：30V／40V／60V）
特点
通用系列，与ROHM同等尺寸的以往产品相比，VF特性降低约25%。由于在车载应用里正向损耗很低，因此非常适合需要高效率的汽车信息娱乐系统和汽车LED灯中作为保护二极管来使用。2021年8月，产品阵容中添加了适用于车载应用的小型PMDE封装，能够满足市场对更小封装的需求。
应用
汽车信息娱乐系统、车载LED灯、车载ECU、笔记本电脑 等
产品阵容
RBS系列 超低VF（耐圧：20V）
特点
该系列具有超低的VF，可以显著降低用于正向电路中的损耗。非常适用于智能手机以及使用电池并在低电压下运行的移动设备中的整流应用。
应用
笔记本电脑、移动设备 等