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SiC功率器件

与Si半导体相比,SiC功率元件可进一步实现小型化、低功耗及高效化。它在高温环境下具备优良的工作特性,且开关损耗更低,作为新一代低损耗元件,备受期待。
SiC功率器件的使用手册 、请点击

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SiC肖特基二极管 (74)

因为Total Capacitive Charge(Qc)小、可以降低开关损失,实现高速开关。而且,Si快速恢复二极管的trr会随着温度上升而增大,而SiC则可以维持大体一定的特性。

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SiCMOSFET (21)

开关时的差动放大电流原则上是没有的,所以可以高速运作,开关损失降低。 小尺寸芯片的导通电阻低,所以实现低容量・低门极消耗。 Si产品随温度的上升导通电阻上升2倍以上,SiC的导通电阻上升小,可以实现整机的小型化和节能化。

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SiC功率模块 (15)

内置的功率半导体元件全部由SiC构成,与Si(硅)材质的IGBT模块相比,可大幅降低开关损耗。 内置SiC-SBD、SiC-MOSFET,与传统的Si-IGBT相比,在100KHz以上的高频环境下工作成为可能。

SiC肖特基势垒二极管Bare Die (16)

SBD可降低开关损耗,可高速开关。主要用于高速开关电源的PFC电路。
关于Bare Die的销售请向本公司销售部门咨询规格。现在尚未进行网络销售及经由网络公司进行销售。

SiC MOSFET Bare Die (19)

从原理上而言,不存在开关工作时的拖尾电流,因此,可高速工作,降低开关损耗。芯片尺寸小,导通电阻低,因此实现了低容量、低栅极电压。
关于Bare Die的销售请向本公司销售部门咨询规格。现在尚未进行网络销售及经由网络公司进行销售。