SiC（碳化硅）功率器件
碳化硅 (SiC) 器件由于其低导通电阻以及更佳的耐高温、高频和高压性能，已成为下一代低损耗半导体的可行候选产品。与硅相比，SiC还可以让设计人员使用更少的元器件，进一步降低设计复杂性。SiC器件的低导通电阻有助于显著降低能耗，从而让用户能够设计环保型产品和系统，减少二氧化碳排放。
ROHM在开发SiC功率器件和模块方面处于领先地位，可改善多个行业应用中的节能效果。
EcoSiC™ 是碳化硅（SiC）器件的品牌，碳化硅器件在功率器件领域备受关注，其性能优于硅（Si）。ROHM独立开发SiC发展所必需的技术，从晶圆制造和生产工艺到封装和质量控制方法。同时，我们建立了贯穿整个制造过程的集成化生产体系，巩固了我们作为SiC领先供应商的地位。
* EcoSiC™ 是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。
SiC 功率器件手册TRCDRIVE pack™全新2合1 SiC模塑模块
TRCDRIVE pack™是ROHM SiC模塑型模块的商标品牌，专为牵引逆变器驱动应用而开发，通过采用独特结构更大程度提高散热面积，减小了尺寸。此外，内置ROHM具有低导通电阻的第四代SiC MOSFET，实现了行业更佳的功率密度，比通用SiC模塑模块高1.5倍，同时大大有助于xEV逆变器的小型化。
* TRCDRIVE pack™ 是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。
SiC 技术应用
产品阵容
SiC相关产品
ROHM正在开发针对驱动SiC器件优化的栅极驱动器。与SiC器件结合使用可以充分发挥其特性。ROHM还提供集成SiC元器件的IC，例如配备SiC MOSFET的AC/DC转换器控制IC。
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