SiC(碳化硅)肖特基二极管

肖特基势垒二极管(SBD)的总容性电荷(Qc)较小,可在实现高速开关操作的同时,减少开关损耗。此外,与硅基快恢复二极管的trr会随温度的升高而增加不同,碳化硅器件可保持稳定的特性,因而性能更佳。SiC肖特基势垒二极管使功率转换系统更可靠,因此可用于充电器、可再生能源的太阳能板,以及电动汽车充电站。碳化硅是一种低发热材料,让制造商能够减小电源系统的整体尺寸。例如,Kinki Roentgen公司用于X射线发生器的500瓦电源采用了罗姆SiC SBD,使每瓦的电源体积比旧系统减小了5倍。
SiC (碳化硅) 肖特基二极管
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