SiC(碳化硅)肖特基二极管

SiC肖特基势垒二极管(SiC SBD)具有很小的总电荷(Qc),低开关损耗且高速开关工作。因此,它被广泛用于电源的PFC电路中。此外,与硅基快恢复二极管的trr(反向恢复时间)会随温度的升高而增加不同,碳化硅(SiC)器件可保持恒定的特性,从而改善了电路性能。制造商能够减小工业设备和消费类电子产品的尺寸,非常适合在功率因数校正电路和逆变器中使用。

SiC SBD用于提高电力转换系统的可靠性,例如电池充电,电动汽车和混合动力车的充电电路以及太阳能电池板。 此外,它还被用于X射线发生装置等高压设备

罗姆已发布的第3代SiC SBD的SCS3系列能够提供更大的浪涌电流容量,同时还能进一步降低第2代SBD的正向电压。
SiC (碳化硅) 肖特基二极管
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