SiC(碳化硅)功率模块

将SiC MOSFET和SBD集成为全SiC功率模块, 比传统的IGBT模块大幅降低了开关损耗。这些新型ROHM SiC模块使得100kHz以上的高频操作成为可能。这提高了用于感应加热和混合动力存储系统的高频电源等工业设备的效率。ROHM SiC功率模块帮助Kurita Seisakusho的大功率脉冲等离子体发生器提供高达200kHz的反应场,从而更好地满足客户需求,这是借助SiC才能实现的成就。
SiC (碳化硅) 功率模块
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