SiC(碳化硅)MOSFET_SCT2H12NZ

SCT2H12NZ是1700V 3.7A的Nch SiC功率MOSFET。

SiC小知识 SiC半导体器件特征解说SiC功率器件的应用手册

* 本产品是标准级的产品。本产品不建议使用于车载设备。
型号 | SCT2H12NZGC11
Status | 供应中
封装 | TO-3PFM
包装数量 | 450
最小独立包装数量 | 30
包装形态 | Tube
RoHS | Yes

特性:

Drain-source Voltage[V]

1700

Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]

1150.0

Drain Current[A]

3.7

Total Power Dissipation[W]

35

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

特点:

  • Low on-resistance
  • Fast switching speed
  • Long creepage distance
  • Simple to drive
  • Pb-free lead plating; RoHS compliant