SCT4018KW7
1200V, 75A, 7引脚SMD, 沟槽结构, SiC MOSFET

SCT4018KW7是一款1200V、75A的Nch SiC功率MOSFET。该产品采用沟槽结构实现了更低的导通电阻,

ROHM的第4代SiC MOSFET
SCT4系列是改善了短路耐受时间并实现了业界超低导通电阻的第4代产品。与以往产品相比,该系列产品的导通电阻降低了约40%,开关损耗降低了约50%。另外,该产品还支持更容易处理的15V栅-源电压,使应用产品的设计更容易。

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* 本产品是标准级的产品。
本产品不建议使用于车载设备。

主要规格

 
型号 | SCT4018KW7TL
Status | 推荐品
封装 | TO-263-7L
包装形态 | Taping
包装数量 | 1000
最小独立包装数量 | 1000
RoHS | Yes

特性:

Drain-source Voltage[V]

1200

Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]

18

Generation

4th Gen (Trench)

Drain Current[A]

75

Total Power Dissipation[W]

267

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-40

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

Package Size [mm]

10.2x15.4 (t=4.7)

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特点:

  • Low on-resistance
  • Fast switching speed
  • Fast reverse recovery
  • Easy to parallel
  • Simple to drive
  • Pb-free lead plating ; RoHS compliant
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