SCT4018KE

1200V, 81A, 3引脚THD, 沟槽结构, SiC MOSFET
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SCT4018KE

SCT4018KE
1200V, 81A, 3引脚THD, 沟槽结构, SiC MOSFET

SCT4018KE是有助于应用产品实现小型化和更低功耗的SiC MOSFET。

ROHM的第4代SiC MOSFET
SCT4系列是改善了短路耐受时间并实现了业界超低导通电阻的第4代产品。与以往产品相比，该系列产品的导通电阻降低了约40%，开关损耗降低了约50%。另外，该产品还支持更容易处理的15V栅-源电压，使应用产品的设计更容易。

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* 本产品是标准级的产品。
本产品不建议使用于车载设备。
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主要规格

 
型号 | SCT4018KEC11
Status | 推荐品
封装 | TO-247N
包装数量 | 450
最小独立包装数量 | 30
包装形态 | Tube
RoHS | Yes
长期供货计划 | 10 Years

特性：

Drain-source Voltage[V]

1200

Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]

18

Generation

4th Gen (Trench)

Drain Current[A]

81

Total Power Dissipation[W]

312

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-40

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

Package Size [mm]

16x21 (t=5.2)

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特点：

  • Low on-resistance
  • Fast switching speed
  • Fast reverse recovery
  • Easy to parallel
  • Simple to drive
  • Pb-free lead plating ; RoHS compliant
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