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  • SiC功率元器件的特征有哪些？
    • SiC与Si相比，绝缘击穿电场强度高约10倍，可达几千V的高耐压，另外单位面积的导通电阻非常低，可降低功率损耗。
      Si在高耐压化时导通电阻变大，为了改善这一现象，主要使用IGBT，但这有开关损耗大的问题。
      SiC具有优异的高速开关性能。
      • FAQ ID: 480
  • SiC-MOSFET并联时，应注意哪些？
    • ・电力配线等若不均等，则电流、芯片温度变得不稳定。
      ・开关时序若不符合规范，则引起过流、芯片损坏。
      ・Vgs(on)若不够高，Ron温度特性变为负，在特定芯片中电流集中，有发生热失控遭损坏的危险。
      • FAQ ID: 485
  • SiC-MOSFET串联时，应注意哪些？
    • ・上侧元器件接地绝缘只能保证绝缘耐压。
      ・需要串联数栅极电压用浮动电源。
      ・串联时，导通电阻的温度系数变为正，为防止热失控，请考虑产品偏差和充分的电流降额。
      ・串联后作为高耐压单开关使用时，推荐并列插入大电阻进行适当分压。
      ・若不符合开关时序，则将破坏耐压。
      • FAQ ID: 486
  • SiC产品驱动时栅极信号上为什么有过冲或下冲？
    • 受到电路板的寄生电容或寄生电感的影响，需要考虑LC谐振。请确认以下项目。
      ①连接栅极驱动电路的外置栅极电阻
      ②栅极驱动电路的输出电容
      ③栅极驱动电路的布线寄生电感
      ④SiC-MOSFET栅极电容
      ⑤SiC-MOSFET内部栅极电阻 等
      若电阻小，则过冲、下冲的峰值变大，且阻尼振荡衰减需要时间。
      另外，电容大，则峰值变小，开关速度变慢。
      电感大，则峰值变大。
      • FAQ ID: 490
  • 使用SiC产品时，防止栅极信号过冲和下冲的方法有哪些？
    • 受到电路板寄生电容和寄生电感等的影响，需要考虑LC谐振，请确认以下项目。
      ①提高栅极驱动电路的外置栅极电阻。
      ②减小栅极驱动电路的输出电容。
      ③减小栅极驱动电路的布线寄生电感。
      电阻小，则过冲和下冲的峰值变大，并且阻尼振荡衰减需要时间。电容大，则开关速度变慢。请尽量减小电感。
      • FAQ ID: 491
  • SiC-MOSFET、SiC模块产品的栅极驱动电压需要负 偏压吗？
    • FET OFF状态下漏极电位上升时，基于栅-漏间电容的AC耦合现象，栅极电位可能上升。代表性的应用有串联的电桥驱动。
      为防止基于误导通的短路破坏，推荐使用负偏压。
      增加栅极-漏极间的电容也能抑制栅极电位上升。
      另外，通过栅极－漏极间连接米勒钳位MOSFET实现彻底短路，可防止栅极电位上升。请注意因噪音引起米勒钳位MOSFET误工作。
      • FAQ ID: 493
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