中国上海，2026年10月29日——全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，开发出有助于实现小型高效率AC-DC电源的Totem Pole PFC*1（图腾柱PFC，以下简称“TP-PFC”）控制器IC“BM85060FV”，其特点是可在支持GaN HEMT*2高频开关的MHz频段工作。
近年来，随着AC适配器、消费电子和小型工业设备的功能日益强大，设备所需电力也不断增加，与此同时，对设备小型化和节能化的要求也越来越高。而且，在能效法规日趋严格的大背景下，不仅要提高产品工作时转换效率，还要降低无负载（空载）时的功耗。在这种情况下，与传统的Si（硅）功率半导体相比，可支持高频开关的GaN HEMT得到了越来越广泛的应用。此外，将GaN HEMT与TP-PFC电路相结合的电源，因其能显著降低功率损耗而被寄望成为追求高效率和小型化设备的有力电源解决方案。另一方面，传统的TP-PFC控制技术广泛使用MCU，但对于小型电源设备而言，除了功耗、电路规模和成本方面的挑战外，如何实现针对GaN HEMT高频开关的控制也成为亟需解决的难题。
针对这些课题，ROHM开发出能够以低功耗控制采用了GaN HEMT的TP-PFC电路、并支持MHz频段高频开关的专用控制器IC“BM85060FV”。新产品可在AC适配器、投影仪等消费电子设备及小型工业设备所用的300~500W级AC-DC电源中，在系统层面实现高达99%的转换效率。这不仅可抑制功率损耗和发热量，还能通过提高开关频率实现外围元器件的小型化，从而有助于电源电路更加节省空间。
另外，还实现了仅150μA的空载电流，与普通品相比降低了70%*。因此，使用该产品更容易降低系统的待机功耗，有助于构建满足DoE Level7*3和CoC Tier2*4节能要求的电源系统。
不仅如此，新产品还内置防雷击浪涌电路等AC-DC电源所需的各种保护功能，有助于减轻设计负担并提高系统可靠性。
新产品已于2026年10月开始销售（样品价格670日元/个，不含税），并已开始网售（330W预设配置产品），客户可通过网售平台购买。另外，ROHM还准备了搭载“BM85060FV”的330W输出TP-PFC评估板，为采用GaN HEMT的高效率AC-DC电源开发提供支持。
未来，ROHM将继续通过提供以GaN HEMT为首的功率半导体，以及与模拟IC相结合、能够更大程度地激发其性能的功率电子解决方案，为电子设备进一步降低功耗和小型化贡献力量。
*截至2026年10月27日ROHM调查数据
＜应用示例＞
非常适用于AC适配器、投影仪等消费电子设备，以及小型工业设备等以300～500W级功率为主的小型高效率AC-DC电源。
＜术语解说＞
- *1）Totem Pole PFC（TP-PFC）
- 在AC-DC电源中，为了高效利用输入电源提供的电力所采用的一种PFC（Power Factor Correction：功率因数校正）电路方式。通过用开关器件替换传统PFC电路中使用的二极管整流桥，可降低导通损耗。
- *2) GaN HEMT
-
GaN（氮化镓）是一种用于新一代功率元器件的化合物半导体材料。
与普通的半导体材料Si（硅）相比，其物性更优异，开关速度更快，支持高频率工作。
HEMT是High Electron Mobility Transistor（高电子迁移率晶体管）的英文首字母缩写。
- *3）DoE Level7
- 美国DoE（Department of Energy，美国能源部）针对电子设备外部电源实施的能效要求。对工作时的功率转换效率及无负载时的功耗制定了严格的标准，要求相应产品具备高节能性能。
- *4）CoC Tier2
- 针对电子设备外部电源实施的欧盟CoC（Code of Conduct：行为准则）能率要求。对工作时的功率转换效率及无负载时的功耗制定了严格的标准，要求相应产品具备高节能性能。
ROHM开发出支持GaN高频开关的TP-PFC控制器IC
～实现高转换效率和低待机功耗，助力小型AC电源节能化发展～
中国上海，2026年10月29日——全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，开发出有助于实现小型高效率AC-DC电源的Totem Pole PFC*1（图腾柱PFC，以下简称“TP-PFC”）控制器IC“BM85060FV”，其特点是可在支持GaN HEMT*2高频开关的MHz频段工作。
近年来，随着AC适配器、消费电子和小型工业设备的功能日益强大，设备所需电力也不断增加，与此同时，对设备小型化和节能化的要求也越来越高。而且，在能效法规日趋严格的大背景下，不仅要提高产品工作时转换效率，还要降低无负载（空载）时的功耗。在这种情况下，与传统的Si（硅）功率半导体相比，可支持高频开关的GaN HEMT得到了越来越广泛的应用。此外，将GaN HEMT与TP-PFC电路相结合的电源，因其能显著降低功率损耗而被寄望成为追求高效率和小型化设备的有力电源解决方案。另一方面，传统的TP-PFC控制技术广泛使用MCU，但对于小型电源设备而言，除了功耗、电路规模和成本方面的挑战外，如何实现针对GaN HEMT高频开关的控制也成为亟需解决的难题。
针对这些课题，ROHM开发出能够以低功耗控制采用了GaN HEMT的TP-PFC电路、并支持MHz频段高频开关的专用控制器IC“BM85060FV”。新产品可在AC适配器、投影仪等消费电子设备及小型工业设备所用的300~500W级AC-DC电源中，在系统层面实现高达99%的转换效率。这不仅可抑制功率损耗和发热量，还能通过提高开关频率实现外围元器件的小型化，从而有助于电源电路更加节省空间。
另外，还实现了仅150μA的空载电流，与普通品相比降低了70%*。因此，使用该产品更容易降低系统的待机功耗，有助于构建满足DoE Level7*3和CoC Tier2*4节能要求的电源系统。
不仅如此，新产品还内置防雷击浪涌电路等AC-DC电源所需的各种保护功能，有助于减轻设计负担并提高系统可靠性。
新产品已于2026年10月开始销售（样品价格670日元/个，不含税），并已开始网售（330W预设配置产品），客户可通过网售平台购买。另外，ROHM还准备了搭载“BM85060FV”的330W输出TP-PFC评估板，为采用GaN HEMT的高效率AC-DC电源开发提供支持。
未来，ROHM将继续通过提供以GaN HEMT为首的功率半导体，以及与模拟IC相结合、能够更大程度地激发其性能的功率电子解决方案，为电子设备进一步降低功耗和小型化贡献力量。
*截至2026年10月27日ROHM调查数据
＜应用示例＞
非常适用于AC适配器、投影仪等消费电子设备，以及小型工业设备等以300～500W级功率为主的小型高效率AC-DC电源。
＜术语解说＞
GaN（氮化镓）是一种用于新一代功率元器件的化合物半导体材料。
与普通的半导体材料Si（硅）相比，其物性更优异，开关速度更快，支持高频率工作。
HEMT是High Electron Mobility Transistor（高电子迁移率晶体管）的英文首字母缩写。
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