YQ10RSM10SD (新产品)
Trench MOS Structure, 100V, 10A, TO-277A, Highly Efficient SBD

The YQ10RSM10SD is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operation at high temperatures. Ideal for switching power supplies, freewheel diodes, and reverse polarity protection applications. A miniaturized, thin and wireless TO-277 package.

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* 本产品是标准级的产品。
本产品不建议使用于车载设备。

主要规格

 
型号 | YQ10RSM10SDTL1
Status | 推荐品
封装 | TO-277GE
包装数量 | 4000
最小独立包装数量 | 4000
包装形态 | Taping
RoHS | Yes

特性:

Configuration

Single

Package Code

TO-277A

Mounting Style

Surface mount

Number of terminal

3

VRM[V]

100

Reverse Voltage VR[V]

100

Average Rectified Forward Current IO[A]

10

IFSM[A]

200

Forward Voltage VF(Max.)[V]

0.67

IF @ Forward Voltage [A]

10

Reverse Current IR(Max.)[mA]

0.08

VR @ Reverse Current[V]

100

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

Package Size [mm]

4.6x6.5 (t=1.2)

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特点:

  • High reliability
  • Power mold type
  • Low VF and low IR
  • Low capacitance

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产品概要

 

背景

二极管的种类有很多,其中高效率SBD被广泛用于各种应用。尤其是沟槽MOS结构的SBD,其VF低于平面结构的SBD,因此可以在整流等应用中提高效率。而普通沟槽MOS结构的产品,其trr比平面结构的要差,因此在用于开关应用时存在功率损耗增加的课题。针对这种课题,ROHM推出采用自有的沟槽MOS结构、同时改善了存在权衡关系的VF和IR、并实现了业界超快trr的YQ系列产品。

概要

“YQ系列”是ROHM首款采用沟槽MOS结构的二极管。该系列利用ROHM自有的结构设计,实现了业界超快的trr(15ns),与同样采用沟槽MOS结构的普通产品相比,trr单项的损耗降低约37%,总开关损耗降低约26%,因此,有助于降低应用产品的功耗。另外,通过采用沟槽MOS结构,与以往采用平面结构的SBD相比,正向施加时的损耗VF和反向施加时的损耗IR均得到改善。这不仅可以降低在整流应用等正向使用时的功率损耗,还可以降低对于SBD而言最令人担心的热失控风险。这些优势使得该系列产品非常适用于容易发热的车载LED前照灯的驱动电路、xEV用的DC-DC转换器等需要进行高速开关的应用。

ROHM SBD 产品阵容
沟槽MOS结构的新产品与普通产品trr比较

应用示例

・汽车LED前照灯 ・xEV用DC-DC转换器 ・工业设备电源 ・照明

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