GNP3290TJ-Z (开发中)
EcoGaN™, 650V 6A TO252-J3F, E-mode Gallium-Nitride(GaN) HEMT
GNP3290TJ-Z
GNP3290TJ-Z (开发中)
EcoGaN™, 650V 6A TO252-J3F, E-mode Gallium-Nitride(GaN) HEMT
GNP3290TJ-Z 是一款650V增强型GaN HEMT。适用于高开关频率转换器和高密度转换器等应用。作为ROHM EcoGaN™系列产品的一部分，该产品利用GaN的高速开关性能，有助于降低应用功耗、缩小外围元件尺寸，并减少设计工作量和元件数量，从而为节能紧凑型系统设计做出贡献。
Data Sheet
* 本产品是标准级的产品。
本产品不建议使用于车载设备。
本产品不建议使用于车载设备。
主要规格
型号 | GNP3290TJ-ZE1
Status |
开发中
封装 |
TO252-J3F
包装形态 | Taping
包装数量 | 2500
最小独立包装数量 | 2500
RoHS |
Yes
MSL | 3
特性：
VDS [V]
650
IDS [A]
6
VGS Rating [V]
7
RDS(on) [mΩ]
290
Qg [nC]
1.3
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Dimensions [mm]
6.6x10.1 (t=2.38)
特点：
- 650V增强型GaN HEMT
- 290mΩ电阻
- 1.3nC栅极电荷
- HBM ESD 1C级（JEDEC标准）
