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DDR2/DDR3 SPD EEPROM_BR34E02FVT-3

串行EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory)是非易失性存储器,在电路板上可以进行电擦写。擦写时也可以以字节(byte)为单位进行擦写,这样最适合用来存放数据。ROHM的串行EEPROM是具有高可靠性的最高级产品系列。ROHM的串行EEPROM按照世界最高水平为用户准备了多种容量、接口和封装形式,在世界上具有高的市场占有率。ROHM的串行EEPROM配置有世界标准的总线形式(Microwire、I²C、SPI),而且工作电源电压范围宽(1.8 ~ 5.5V、2.5 ~ 5.5V),还最适合采用电池供电。整个系列均是无铅产品,符合RoHS指令。

* 本产品是标准级的产品。本产品不建议使用的车载设备。
型号 | BR34E02FVT-3E2
Status | 供应中
封装 | TSSOP-B8
包装数量 | 3000
最小独立包装数量 | 3000
包装形态 | Taping
RoHS | Yes

特性:

Grade

Standard

I/F

I2C BUS(2-Wire)

Density [bit]

2K

Bit Format [Word x Bit]

256 x 8

Package

TSSOP-B8

Operating Temperature (Min.)[°C]

-40

Operating Temperature (Max.)[°C]

85

Vcc(Min.)[V]

1.7

Vcc(Max.)[V]

5.5

Circuit Current (Max.)[mA]

2.0

Standby Current (Max.)[μA]

2.0

Write Cycle (Max.)[ms]

5.0

Input Frequency (Max.)[Hz]

400K

Endurance (Max.)[Cycle]

106

Data Retention (Max.)[Year]

40

Comment

Cu wire bonding.

特点:

・存储器模块用SPD存储器
・工作电压范围宽:1.7~5.5V
・数据可擦写1,000,000次