EM6K34
0.9V驱动双N沟道MOSFET
EM6K34
0.9V驱动双N沟道MOSFET
复合型MOSFET(N+N)是采用微处理技术制成的低导通电阻器件，可广泛应用于各种领域。产品阵容广泛，涵盖紧凑型、高功率型和复合型，可满足市场上的各种需求。
主要规格
特性：
Package Code
SOT-563
JEITA Package
SC-107C
Number of terminal
6
Polarity
N+N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
50
Drain Current ID[A]
0.2
RDS(on)[Ω] VGS=0.9V(Typ)
3
RDS(on)[Ω] VGS=1.2V(Typ)
2.2
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ)
2
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ)
1.7
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
1.6
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
3
Power Dissipation (PD)[W]
0.15
Drive Voltage[V]
0.9
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
1.6x1.6 (t=0.55)
特点：
- 高速开关。
- 小型封装 (EMT6)
- 超低压驱动 (0.9V 驱动)
