HT8KE5
100V 7A, Dual Nch+Nch, HSMT8, 功率MOSFET

HT8KE5是一款非常适用于开关应用的低导通电阻MOSFET。

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* 本产品是标准级的产品。
本产品不建议使用于车载设备。
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主要规格

 
型号 | HT8KE5TB1
Status | 推荐品
封装 | HSMT8 (Symmetry Dual)
包装数量 | 3000
最小独立包装数量 | 3000
包装形态 | Taping
RoHS | Yes

特性：

Package Code

HSMT8D (3.3x3.3)

Number of terminal

8

Polarity

Nch+Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

100

Drain Current ID[A]

7

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.2

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.148

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.2

Total gate charge Qg[nC]

1.7

Power Dissipation (PD)[W]

13

Drive Voltage[V]

4.5

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Package Size [mm]

3.3x3.3 (t=0.8)

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特点：

  • Low on - resistance
  • High Power small mold Package (HSMT8)
  • Pb-free plating; RoHS compliant
  • Halogen Free

产品概要

 

背景

近年来，在通信基站和工业设备领域，为了降低电流值、提高效率，以往的12V和24V系统逐渐被转换为48V系统，电源电压呈提高趋势。此外，用来冷却这些设备的风扇电机也使用的是48V系统电源，考虑到电压波动，起到开关作用的MOSFET需要具备100V的耐压能力。而另一方面，提高耐压意味着与其存在权衡关系的导通电阻也会提高，效率会变差，因此，如何同时兼顾更高耐压和更低导通电阻，是一个很大的挑战。风扇电机通常会使用多个MOSFET进行驱动，为了节省空间，对于将两枚芯片一体化封装的双MOSFET的需求增加。

概要

通过采用ROHM新工艺和背面散热封装，实现了业界超低的导通电阻（Ron）。另外，通过将两枚芯片一体化封装，可以减少安装面积，有助于应用设备进一步节省空间。

应用示例

・通信基站用风扇电机
・FA设备等工业设备用风扇电机
・数据中心等服务器用风扇电机

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