QH8KC6
60V 5.5A, 双N沟道, TSMT8, 功率MOSFET
QH8KC6
60V 5.5A, 双N沟道, TSMT8, 功率MOSFET
QH8KC6是支持60V耐压的双N沟道MOSFET。本产品专为工厂自动化设备和基站上安装的电机（冷却风扇）等24V输入设备而设计。本产品由低导通电阻N沟道MOSFET构成，导通电阻与ROHM的传统产品相比降低了58%。这有助于降低各种设备的功耗。
主要规格
特性：
Package Code
TSMT8
Number of terminal
8
Polarity
N+N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
60
Drain Current ID[A]
5.5
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.031
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.023
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.031
Total gate charge Qg[nC]
3.9
Power Dissipation (PD)[W]
1.5
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.8x3.0 (t=0.85)
特点：
- 低导通电阻
- 小型表面贴装封装 (TSMT8)
- 无铅电镀; 符合RoHS指令
- 无卤素
